以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• NXP USA Inc.
  TRANS PNP 65V 0.1A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 65V 100mA 100MHz 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：BC556A,112
  仓库库存编号：BC556A,112-ND
  别名：933243610112
  BC556A
  BC556A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  TRANS NPN DARL 55V 0.5A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 55V 500mA 155MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：BC618,112
  仓库库存编号：BC618,112-ND
  别名：933890190112
  BC618
  BC618-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  TRANS PNP 45V 0.5A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 500mA 80MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：BC327,412
  仓库库存编号：BC327,412-ND
  别名：933149180412
  BC327P
  BC327P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  TRANS NPN 45V 0.5A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 500mA 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：BC337,112
  仓库库存编号：BC337,112-ND
  别名：933149200112
  BC337P
  BC337P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  TRANS NPN 20V 1A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 1A 170MHz 830mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：BC368,112
  仓库库存编号：BC368,112-ND
  别名：933259240112
  BC368P
  BC368P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  TRANS PNP 20V 1A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 20V 1A 140MHz 830mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：BC369,112
  仓库库存编号：BC369,112-ND
  别名：933259250112
  BC369P
  BC369P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  TRANS NPN 30V 0.1A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 100MHz 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：BC549C,112
  仓库库存编号：BC549C,112-ND
  别名：933197700112
  BC549CP
  BC549CP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  TRANS PNP 45V 0.1A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 100MHz 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：BC557,112
  仓库库存编号：BC557,112-ND
  别名：933197710112
  BC557P
  BC557P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  TRANS NPN 45V 1A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 1A 180MHz 830mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：BC635,112
  仓库库存编号：BC635,112-ND
  别名：933221920112
  BC635P
  BC635P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  TRANS PNP 60V 1A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：BC638,112
  仓库库存编号：BC638,112-ND
  别名：933221960112
  BC638P
  BC638P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  TRANS NPN 80V 1A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 180MHz 830mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：BC639,112
  仓库库存编号：BC639,112-ND
  别名：933221940112
  BC639P
  BC639P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  TRANS PNP 80V 1A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 145MHz 830mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：BC640,112
  仓库库存编号：BC640,112-ND
  别名：933221970112
  BC640P
  BC640P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 600mA（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC01D120H6
  仓库库存编号：SIDC01D120H6-ND
  别名：SP000013831
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC01D60C6
  仓库库存编号：SIDC01D60C6-ND
  别名：SP000017746
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 6A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC02D60C6
  仓库库存编号：SIDC02D60C6-ND
  别名：SP000014997
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 3A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC02D60F6
  仓库库存编号：SIDC02D60F6-ND
  别名：SP000013788
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 2A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC03D120F6
  仓库库存编号：SIDC03D120F6-ND
  别名：SP000013476
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 3A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC03D120H6
  仓库库存编号：SIDC03D120H6-ND
  别名：SP000013218
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 10A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC03D60C6
  仓库库存编号：SIDC03D60C6-ND
  别名：SP000015128
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 6A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC03D60F6
  仓库库存编号：SIDC03D60F6-ND
  别名：SP000012905
  SP000272343
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 9A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC04D60F6
  仓库库存编号：SIDC04D60F6-ND
  别名：SP000013037
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 15A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 15A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC05D60C6
  仓库库存编号：SIDC05D60C6-ND
  别名：SP000015011
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 5A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC06D120E6
  仓库库存编号：SIDC06D120E6-ND
  别名：SP000011938
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 5A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC06D120F6
  仓库库存编号：SIDC06D120F6-ND
  别名：SP000014015
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 7.5A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 7.5A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC06D120H6
  仓库库存编号：SIDC06D120H6-ND
  别名：SP000013215
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 散装 ,
• 含铅
• 搜索