产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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Infineon Technologies
FET RF LDMOS 150W H36248-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 1.2A 1.99GHz 18dB 150W H-36248-2
型号：
PTFB191501EV1XWSA1
仓库库存编号：
PTFB191501EV1XWSA1TR-ND
别名：PTFB191501E V1
PTFB191501E V1-ND
SP000695468
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF LDMOS 150W H36248-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 1.2A 1.99GHz 18dB 150W H-36248-2
型号：
PTFB191501EV1R250XTMA1
仓库库存编号：
PTFB191501EV1R250XTMA1TR-ND
别名：PTFB191501E V1 R250
PTFB191501E V1 R250-ND
SP000695470
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-8
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 1.6A 1.81GHz 17.9dB 74W NI1230-8
型号：
MRF8S18260HR5
仓库库存编号：
MRF8S18260HR5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 1.6A 1.81GHz 17.9dB 74W NI1230S-8
型号：
MRF8S18260HSR5
仓库库存编号：
MRF8S18260HSR5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-8
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 1.6A 1.81GHz 17.9dB 74W NI1230-8
型号：
MRF8S18260HR6
仓库库存编号：
MRF8S18260HR6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 26.5dB 300W NI-780S-4
型号：
MRFE6VP6300HSR3
仓库库存编号：
MRFE6VP6300HSR3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15A 2.7W Surface Mount DIRECTFET? MA
型号：
IRF6702M2DTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6702M2DTR1PBF-ND
别名：IRF6702M2DTR1P
IRF6702M2DTR1P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15A 2.7W Surface Mount DIRECTFET? MA
型号：
IRF6702M2DTRPBF
仓库库存编号：
IRF6702M2DTRPBF-ND
别名：SP001523948
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Tc） 2.5W（Ta），20W（Tc） DIRECTFET S1
型号：
IRF6708S2TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6708S2TR1PBF-ND
别名：SP001523958
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Tc） 2.5W（Ta），20W（Tc） DIRECTFET S1
型号：
IRF6708S2TRPBF
仓库库存编号：
IRF6708S2TRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 5GHZ SOT323
详细描述：RF Transistor NPN 15V 25mA 5GHz 300mW Surface Mount SOT-323-3
型号：
BFR94AW,115
仓库库存编号：
BFR94AW,115-ND
别名：934064959115
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 105W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y08-40B/C,115
仓库库存编号：
BUK7Y08-40B/C,115-ND
别名：934064767115
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 35.3A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 35.3A（Tc） 59.4W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y25-40B/C,115
仓库库存编号：
BUK7Y25-40B/C,115-ND
别名：934064769115
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 430mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 16.5dB 3W CDFM6
型号：
BLF6G27LS-50BN,118
仓库库存编号：
BLF6G27LS-50BN,118-ND
别名：934064687118
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 1.4A 860MHz 19.3dB 125W NI-1230S
型号：
MRFE6VP8600HSR6
仓库库存编号：
MRFE6VP8600HSR6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANSISTOR CDFM6
详细描述：RF Mosfet CDFM6
型号：
BLF8G22L-160BV,118
仓库库存编号：
BLF8G22L-160BV,118-ND
别名：934065899118
BLF8G22L-160BV118
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF LDMOS 60W H37265-3
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 760MHz 19.5dB 60W H-37265-2
型号：
PTFA070601FV4R250XTMA1
仓库库存编号：
PTFA070601FV4R250XTMA1TR-ND
别名：PTFA070601F V4 R250
PTFA070601F V4 R250-ND
SP000641274
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF LDMOS 170W H37248-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 900mA 765MHz 18.7dB 150W H-37248-2
型号：
PTFA071701FV4R250XTMA1
仓库库存编号：
PTFA071701FV4R250XTMA1TR-ND
别名：PTFA071701F V4 R250
PTFA071701F V4 R250-ND
SP000707916
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF LDMOS 150W H37248-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 1.2A 1.99GHz 18dB 150W H-37248-2
型号：
PTFB191501FV1R250XTMA1
仓库库存编号：
PTFB191501FV1R250XTMA1TR-ND
别名：PTFB191501F V1 R250
PTFB191501F V1 R250-ND
SP000695474
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 45A（Tc） 45W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB45N04S4L08ATMA1
仓库库存编号：
IPB45N04S4L08ATMA1TR-ND
别名：IPB45N04S4L-08
IPB45N04S4L-08-ND
SP000711444
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD100N06S403ATMA1
仓库库存编号：
IPD100N06S403ATMA1TR-ND
别名：IPD100N06S4-03
IPD100N06S4-03-ND
SP000415576
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 68W TO263-3-2
详细描述：IGBT NPT 600V 12A 68W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号：
SKB06N60ATMA1
仓库库存编号：
SKB06N60ATMA1TR-ND
别名：SKB06N60
SKB06N60-ND
SP000012427
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount SCD-80
型号：
BB565H7912XTSA1
仓库库存编号：
BB565H7912XTSA1TR-ND
别名：BB 565 H7912
BB 565 H7912-ND
SP000842826
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount SCD-80
型号：
BB689H7912XTSA1
仓库库存编号：
BB689H7912XTSA1TR-ND
别名：BB 689 H7912
BB 689 H7912-ND
SP000842828
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.3A, 2A 500mW Surface Mount 6-TSOP
型号：
BSL308CL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL308CL6327HTSA1TR-ND
别名：BSL308C L6327
BSL308C L6327-ND
SP000473910
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无铅
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