产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 1.6A 1.99GHz 18.2dB 74W NI1230S-8
型号：
MRF8S19260HSR6
仓库库存编号：
MRF8S19260HSR6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI780H
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 850mA 2.17GHz 17.6dB 28W NI-780
型号：
MRF8S21120HR3
仓库库存编号：
MRF8S21120HR3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.14GHZ NI780
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 970mA 2.14GHz 17.9dB 34W NI-780
型号：
MRF8S21140HR3
仓库库存编号：
MRF8S21140HR3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.14GHZ NI780
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 970mA 2.14GHz 17.9dB 34W NI-780
型号：
MRF8S21140HR5
仓库库存编号：
MRF8S21140HR5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.14GHZ NI780S
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 970mA 2.14GHz 17.9dB 34W NI-780S
型号：
MRF8S21140HSR3
仓库库存编号：
MRF8S21140HSR3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.14GHZ NI780S
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 970mA 2.14GHz 17.9dB 34W NI-780S
型号：
MRF8S21140HSR5
仓库库存编号：
MRF8S21140HSR5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230H
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 1.4A 2.14GHz 18.1dB 48W NI-1230
型号：
MRF8S21200HR5
仓库库存编号：
MRF8S21200HR5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.69GHZ NI780
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.69GHz 15.6dB 28W NI-780
型号：
MRF8S26120HR3
仓库库存编号：
MRF8S26120HR3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.69GHZ NI780S
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.69GHz 15.6dB 28W NI-780S
型号：
MRF8S26120HSR3
仓库库存编号：
MRF8S26120HSR3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.69GHZ NI780S
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.69GHz 15.6dB 28W NI-780S
型号：
MRF8S26120HSR5
仓库库存编号：
MRF8S26120HSR5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 70V 960MHZ NI780H
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 960MHz 19.4dB 65W NI-780
型号：
MRF8S9220HR3
仓库库存编号：
MRF8S9220HR3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 70V 960MHZ NI780H
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 960MHz 19.4dB 65W NI-780
型号：
MRF8S9220HR5
仓库库存编号：
MRF8S9220HR5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.3GHZ NI-780
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 2.3GHz 16dB 28W NI-780
型号：
MRF8S23120HR3
仓库库存编号：
MRF8S23120HR3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.3GHZ NI-780
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 2.3GHz 16dB 28W NI-780
型号：
MRF8S23120HR5
仓库库存编号：
MRF8S23120HR5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 2.3GHz 16dB 28W NI-780S
型号：
MRF8S23120HSR3
仓库库存编号：
MRF8S23120HSR3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 2.3GHz 16dB 28W NI-780S
型号：
MRF8S23120HSR5
仓库库存编号：
MRF8S23120HSR5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 24dB 1250W NI-1230S
型号：
MRFE6VP61K25HSR6
仓库库存编号：
MRFE6VP61K25HSR6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 28A（DC） PG-TO263-3-2
型号：
IDB12E120ATMA1
仓库库存编号：
IDB12E120ATMA1TR-ND
别名：IDB12E120
IDB12E120-ND
SP000013640
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 41A（DC） PG-TO263-3-2
型号：
IDB23E60ATMA1
仓库库存编号：
IDB23E60ATMA1TR-ND
别名：IDB23E60
IDB23E60-ND
SP000278566
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF LDMOS 60W H36265-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 760MHz 19.5dB 60W H-36265-2
型号：
PTFA070601EV4R250XTMA1
仓库库存编号：
PTFA070601EV4R250XTMA1TR-ND
别名：PTFA070601E V4 R250
PTFA070601E V4 R250-ND
SP000641270
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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Infineon Technologies
FET RF LDMOS 170W H36248-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 900mA 765MHz 18.7dB 150W H-36248-2
型号：
PTFA071701EV4R250XTMA1
仓库库存编号：
PTFA071701EV4R250XTMA1TR-ND
别名：PTFA071701E V4 R250
PTFA071701E V4 R250-ND
SP000707900
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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Infineon Technologies
FET RF LDMOS 240W H33288-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 1.8A 765MHz 19dB 220W H-33288-2
型号：
PTFA072401ELV4R250XTMA1
仓库库存编号：
PTFA072401ELV4R250XTMA1TR-ND
别名：PTFA072401EL V4 R250
PTFA072401EL V4 R250-ND
SP000636910
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF LDMOS 220W H33288-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 1.75A 940MHz 18dB 220W H-33288-2
型号：
PTFA092211ELV4XWSA1
仓库库存编号：
PTFA092211ELV4XWSA1TR-ND
别名：PTFA092211EL V4
PTFA092211EL V4-ND
SP000640628
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF LDMOS 220W H33288-3
详细描述：RF Mosfet LDMOS 30V 1.75A 940MHz 18dB 220W H-33288-2
型号：
PTFA092211ELV4R250XTMA1
仓库库存编号：
PTFA092211ELV4R250XTMA1TR-ND
别名：PTFA092211EL V4 R250
PTFA092211EL V4 R250-ND
SP000640630
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 2.14GHz 15.5dB 140W H-36260-2
型号：
PTFA211801EV5XWSA1
仓库库存编号：
PTFA211801EV5XWSA1TR-ND
别名：PTFA211801E V5
PTFA211801E V5-ND
SP000841128
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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