产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L07GBTMA1
仓库库存编号:
SPD30N03S2L07GBTMA1TR-ND
别名:SP000443922
SPD30N03S2L-07 G
SPD30N03S2L-07 G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 12.7A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6614
仓库库存编号:
IRF6614-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 12.7A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6614TR1
仓库库存编号:
IRF6614TR1-ND
别名:SP001525534
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 16A(Ta),59A(Tc) 2.3W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MP
型号:
IRF6633TR1
仓库库存编号:
IRF6633TR1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Ta),60A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6644
仓库库存编号:
IRF6644-ND
别名:SP001574786
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Ta),60A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6644TR1
仓库库存编号:
IRF6644TR1-ND
别名:SP001561926
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.7A(Ta),25A(Tc) 3W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SJ
型号:
IRF6645
仓库库存编号:
IRF6645-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.2A(Ta),19A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SH
型号:
IRF6655TR1
仓库库存编号:
IRF6655TR1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.2A(Ta),19A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SH
型号:
IRF6665
仓库库存编号:
IRF6665-ND
别名:SP001554114
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.2A(Ta),19A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SH
型号:
IRF6665TR1
仓库库存编号:
IRF6665TR1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 55A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MZ
型号:
IRF6668TR1
仓库库存编号:
IRF6668TR1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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NXP USA Inc.
TRANS PWR LDMOS SOT502
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 17dB 14W LDMOST
型号:
BLF6G27LS-100,118
仓库库存编号:
BLF6G27LS-100,118-ND
别名:934064318118
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-8
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 800mA 1.88GHz 16dB 72W NI1230-8
型号:
MRF8P18265HR6
仓库库存编号:
MRF8P18265HR6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S8
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 800mA 1.88GHz 16dB 72W NI1230S-8
型号:
MRF8P18265HSR5
仓库库存编号:
MRF8P18265HSR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S8
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 800mA 1.88GHz 16dB 72W NI1230S-8
型号:
MRF8P18265HSR6
仓库库存编号:
MRF8P18265HSR6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 400mA 2.03GHz 16dB 20W NI-780-4
型号:
MRF8P20100HR3
仓库库存编号:
MRF8P20100HR3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 400mA 2.03GHz 16dB 20W NI-780S-4
型号:
MRF8P20100HSR5
仓库库存编号:
MRF8P20100HSR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780-4
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 280mA 2.3GHz 14.6dB 16W NI-780-4
型号:
MRF8P23080HR3
仓库库存编号:
MRF8P23080HR3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780-4
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 280mA 2.3GHz 14.6dB 16W NI-780-4
型号:
MRF8P23080HR5
仓库库存编号:
MRF8P23080HR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780S-4
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 280mA 2.3GHz 14.6dB 16W NI-780S-4
型号:
MRF8P23080HSR5
仓库库存编号:
MRF8P23080HSR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.96GHZ NI780H
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.1A 1.96GHz 19.1dB 34W NI-780
型号:
MRF8S19140HR3
仓库库存编号:
MRF8S19140HR3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.96GHZ NI780HS
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.1A 1.96GHz 19.1dB 34W NI-780S
型号:
MRF8S19140HSR3
仓库库存编号:
MRF8S19140HSR3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.96GHZ NI780HS
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.1A 1.96GHz 19.1dB 34W NI-780S
型号:
MRF8S19140HSR5
仓库库存编号:
MRF8S19140HSR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230-8
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 1.6A 1.99GHz 18.2dB 74W NI1230-8
型号:
MRF8S19260HR6
仓库库存编号:
MRF8S19260HR6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 1.6A 1.99GHz 18.2dB 74W NI1230S-8
型号:
MRF8S19260HSR5
仓库库存编号:
MRF8S19260HSR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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