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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
  详细描述：RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 25dB PG-SOT363-6
  
  型号：BG3430RH6327XTSA1
  仓库库存编号：BG3430RH6327XTSA1TR-ND
  别名：BG 3430R H6327
  BG 3430R H6327-ND
  SP000753498
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT363
  详细描述：RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 10mA 800MHz 23dB PG-SOT363-6
  
  型号：BG5120KH6327XTSA1
  仓库库存编号：BG5120KH6327XTSA1TR-ND
  别名：BG 5120K H6327
  BG 5120K H6327-ND
  SP000753500
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
  详细描述：RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 10mA 800MHz 24dB PG-SOT363-6
  
  型号：BG5412KH6327XTSA1
  仓库库存编号：BG5412KH6327XTSA1TR-ND
  别名：BG 5412K H6327
  BG 5412K H6327-ND
  SP000753502
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Infineon Technologies
  TRANS RF NPN 5V 12MA SOT343
  详细描述：RF Transistor NPN 5V 12mA 50mW Surface Mount PG-SOT343-4
  
  型号：BGR405H6327XTSA1
  仓库库存编号：BGR405H6327XTSA1TR-ND
  别名：BGR 405 H6327
  BGR 405 H6327-ND
  SP000750466
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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  MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），174A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB019N03LX G
  仓库库存编号：BSB019N03LX G-ND
  别名：SP000597826
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），145A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB024N03LX G
  仓库库存编号：BSB024N03LX G-ND
  别名：SP000597838
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），71A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB053N03LP G
  仓库库存编号：BSB053N03LP G-ND
  别名：SP000597830
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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  MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 880mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BSD840N L6327
  仓库库存编号：BSD840N L6327-ND
  别名：SP000464874
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），71A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF053N03LT G
  仓库库存编号：BSF053N03LT G-ND
  别名：SP000597832
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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  MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），53A（Tc） 2.2W（Ta），36W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF083N03LQ G
  仓库库存编号：BSF083N03LQ G-ND
  别名：SP000597834
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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  MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL314PEL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSL314PEL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSL314PE L6327
  BSL314PE L6327-ND
  SP000473004
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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  TRANS NPN DARL 45V 1A SOT223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 45V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
  
  型号：BSP50H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP50H6327XTSA1-ND
  别名：BSP 50 H6327
  BSP 50 H6327-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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  TRANS NPN DARL 60V 1A SOT223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
  
  型号：BSP51H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP51H6327XTSA1-ND
  别名：BSP 51 H6327
  BSP 51 H6327-ND
  
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  TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
  
  型号：BSP52H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP52H6327XTSA1-ND
  别名：BSP 52 H6327
  BSP 52 H6327-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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  TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 45V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
  
  型号：BSP60H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP60H6327XTSA1-ND
  别名：BSP 60 H6327
  BSP 60 H6327-ND
  
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  TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
  
  型号：BSP61H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP61H6327XTSA1-ND
  别名：BSP 61 H6327
  BSP 61 H6327-ND
  
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• Infineon Technologies
  TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
  
  型号：BSP62H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP62H6327XTSA1-ND
  别名：BSP 62 H6327
  BSP 62 H6327-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS127H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS127H6327XTSA1-ND
  别名：BSS127 H6327
  BSS127 H6327-ND
  SP000705718
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS159NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS159NH6327XTSA1-ND
  别名：BSS159N H6327
  BSS159N H6327-ND
  SP000639076
  
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  MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS314PEL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS314PEL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS314PE L6327
  BSS314PE L6327-ND
  SP000473000
  
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  MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS806NL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS806NL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS806N L6327
  BSS806N L6327-ND
  SP000464848
  
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  MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS816NW L6327
  仓库库存编号：BSS816NW L6327-ND
  别名：SP000464852
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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  MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS83PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS83P L6327-ND
  别名：BSS83P L6327
  
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  DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 19.3A（DC） PG-TO263-3
  
  型号：IDB09E60ATMA1
  仓库库存编号：IDB09E60ATMA1TR-ND
  别名：IDB09E60
  IDB09E60-ND
  SP000013914
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 29.2A（DC） PG-TO263-3
  
  型号：IDB15E60
  仓库库存编号：IDB15E60-ND
  别名：SP000278565
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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