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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L10GBTMA1
  仓库库存编号：SPD30N03S2L10GBTMA1TR-ND
  别名：SP000443918
  SPD30N03S2L-10 G
  SPD30N03S2L-10 G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 45A（Tc） 158W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7226-75A/C1,118
  仓库库存编号：BUK7226-75A/C1,118-ND
  别名：934061629118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 55A（Tc） 150W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9213-30A,118
  仓库库存编号：BUK9213-30A,118-ND
  别名：934057315118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
  
  型号：PDTA143ZK,135
  仓库库存编号：PDTA143ZK,135-ND
  别名：934054805135
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• NXP USA Inc.
  TRANS NPN PREBIAS/NPN 6TSSOP
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 200mA 230MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
  
  型号：PUML1,115
  仓库库存编号：PUML1,115-ND
  别名：934062098115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780H-4
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 1.25A 1.99GHz 20dB 40W NI-780-4
  
  型号：MD7P19130HR3
  仓库库存编号：MD7P19130HR3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780H-4
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 1.25A 1.99GHz 20dB 40W NI-780-4
  
  型号：MD7P19130HR5
  仓库库存编号：MD7P19130HR5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780HS-4
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 1.25A 1.99GHz 20dB 40W NI-780S-4
  
  型号：MD7P19130HSR3
  仓库库存编号：MD7P19130HSR3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780HS-4
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 1.25A 1.99GHz 20dB 40W NI-780S-4
  
  型号：MD7P19130HSR5
  仓库库存编号：MD7P19130HSR5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 66V 1.99GHZ NI780
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.93GHz ~ 1.99GHz 17.9dB 56W NI-780
  
  型号：MRF6S19200HR3
  仓库库存编号：MRF6S19200HR3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 66V 1.99GHZ NI780
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.93GHz ~ 1.99GHz 17.9dB 56W NI-780
  
  型号：MRF6S19200HR5
  仓库库存编号：MRF6S19200HR5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 66V 1.99GHZ NI780S
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.93GHz ~ 1.99GHz 17.9dB 56W NI-780S
  
  型号：MRF6S19200HSR3
  仓库库存编号：MRF6S19200HSR3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 66V 1.99GHZ NI780S
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.93GHz ~ 1.99GHz 17.9dB 56W NI-780S
  
  型号：MRF6S19200HSR5
  仓库库存编号：MRF6S19200HSR5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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  FET RF 68V 2.17GHZ NI880
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 2.11GHz ~ 2.17GHz 16dB 54W NI-880
  
  型号：MRF6S21190HR3
  仓库库存编号：MRF6S21190HR3-ND
  
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  FET RF 68V 2.17GHZ NI880
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 2.11GHz ~ 2.17GHz 16dB 54W NI-880
  
  型号：MRF6S21190HR5
  仓库库存编号：MRF6S21190HR5-ND
  
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• NXP USA Inc.
  FET RF 68V 2.17GHZ NI880S
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 2.11GHz ~ 2.17GHz 16dB 54W NI-880S
  
  型号：MRF6S21190HSR3
  仓库库存编号：MRF6S21190HSR3-ND
  
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  FET RF 68V 2.17GHZ NI880S
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 2.11GHz ~ 2.17GHz 16dB 54W NI-880S
  
  型号：MRF6S21190HSR5
  仓库库存编号：MRF6S21190HSR5-ND
  
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  FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 1.03GHz 20.3dB 275W NI-780S
  
  型号：MRF6V12250HSR3
  仓库库存编号：MRF6V12250HSR3-ND
  
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• NXP USA Inc.
  FET RF 100V 1.4GHZ NI780
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 50V 150mA 1.4GHz 18dB 330W NI-780
  
  型号：MRF6V14300HR3
  仓库库存编号：MRF6V14300HR3-ND
  
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  FET RF 100V 1.4GHZ NI780S
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 50V 150mA 1.4GHz 18dB 330W NI-780S
  
  型号：MRF6V14300HSR3
  仓库库存编号：MRF6V14300HSR3-ND
  
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• NXP USA Inc.
  FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 50V 30mA 220MHz 23.9dB 10W TO-270G-2
  
  型号：MRF6V2010GNR5
  仓库库存编号：MRF6V2010GNR5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 110V 450MHZ TO-270-4
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 50V 900mA 450MHz 22dB 300W TO-270 WB-4
  
  型号：MRF6V4300NR1
  仓库库存编号：MRF6V4300NR1-ND
  
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• NXP USA Inc.
  FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 150mA 1.03GHz 20dB 1000W NI-1230
  
  型号：MRF6VP121KHR6
  仓库库存编号：MRF6VP121KHR6-ND
  
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• NXP USA Inc.
  FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 150mA 1.03GHz 20dB 1000W NI-1230S
  
  型号：MRF6VP121KHSR6
  仓库库存编号：MRF6VP121KHSR6-ND
  
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  FET RF 2CH 110V 860MHZ NI1230S
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 1.4A 860MHz 22.5dB 90W NI-1230S
  
  型号：MRF6VP3450HSR6
  仓库库存编号：MRF6VP3450HSR6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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