产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 100mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS139L6906HTSA1
仓库库存编号：
BSS139L6906HTSA1TR-ND
别名：BSS139 L6906
BSS139 L6906-ND
SP000247296
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS159NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS159NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS159N L6327
BSS159N L6327-ND
SP000247297
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS169L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS169L6327HTSA1TR-ND
别名：BSS169 L6327
BSS169 L6327-ND
SP000247299
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 580mA（Ta） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS209PW L6327
仓库库存编号：
BSS209PW L6327-ND
别名：SP000245422
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS214NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS214NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS214N L6327
BSS214N L6327-ND
SP000440878
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS214NW L6327
仓库库存编号：
BSS214NW L6327-ND
别名：SP000440880
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS306NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS306NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS306N L6327
BSS306N L6327-ND
SP000442400
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS308PEL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS308PEL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS308PE L6327
BSS308PE L6327-ND
SP000442474
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS316NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS316NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS316N L6327
BSS316N L6327-ND
SP000442416
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 540mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS670S2LL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS670S2LL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS670S2L L6327
BSS670S2L L6327-ND
SP000247301
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS7728NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS7728NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS7728N L6327
BSS7728N L6327-ND
SP000247302
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 150mA（Ta） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS84PW L6327
仓库库存编号：
BSS84PW L6327-ND
别名：SP000247312
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 55V, 30V 40A 69W, 96W Surface Mount PG-TO263-5
型号：
BTS7904BATMA1
仓库库存编号：
BTS7904BATMA1TR-ND
别名：BTS7904B
BTS7904B-ND
SP000415554
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 6A（DC） D2PAK
型号：
IDB06S60C
仓库库存编号：
IDB06S60C-ND
别名：IDB06S60CATMA1
SP000411538
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 10A（DC） D2PAK
型号：
IDB10S60C
仓库库存编号：
IDB10S60C-ND
别名：IDB10S60CATMA1
SP000411540
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 5.6A PG-TO252-3
型号：
IDD04SG60CXTMA1
仓库库存编号：
IDD04SG60CXTMA1TR-ND
别名：IDD04SG60C
IDD04SG60C-ND
SP000786804
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO252-3
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 5A（DC） PG-TO252-3
型号：
IDD05SG60CXTMA1
仓库库存编号：
IDD05SG60CXTMA1TR-ND
别名：IDD05SG60C
IDD05SG60C-ND
SP000411544
SP000786806
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-3
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 6A（DC） PG-TO252-3
型号：
IDD06SG60CXTMA1
仓库库存编号：
IDD06SG60CXTMA1TR-ND
别名：IDD06SG60C
IDD06SG60C-ND
SP000786808
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-3
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 8A（DC） PG-TO252-3
型号：
IDD08SG60CXTMA1
仓库库存编号：
IDD08SG60CXTMA1TR-ND
别名：IDD08SG60C
IDD08SG60C-ND
SP000411548
SP000786810
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO252-3
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 9A（DC） PG-TO252-3
型号：
IDD09SG60CXTMA1
仓库库存编号：
IDD09SG60CXTMA1TR-ND
别名：IDD09SG60C
IDD09SG60C-ND
SP000411550
SP000786812
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO252-3
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 10A（DC） PG-TO252-3
型号：
IDD10SG60CXTMA1
仓库库存编号：
IDD10SG60CXTMA1TR-ND
别名：IDD10SG60C
IDD10SG60C-ND
SP000608030
SP000786814
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB05CN10N G
仓库库存编号：
IPB05CN10N G-ND
别名：SP000096440
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB06CN10N G
仓库库存编号：
IPB06CN10N G-ND
别名：SP000096446
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB08CN10N G
仓库库存编号：
IPB08CN10N G-ND
别名：SP000096448
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB08CNE8N G
仓库库存编号：
IPB08CNE8N G-ND
别名：SP000096449
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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