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• NXP USA Inc.
  FET RF 66V 880MHZ NI-780
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 880MHz 21dB 35W NI-780
  
  型号：MRFE6S9160HR5
  仓库库存编号：MRFE6S9160HR5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 66V 880MHZ NI-780S
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 880MHz 21dB 35W NI-780S
  
  型号：MRFE6S9160HSR5
  仓库库存编号：MRFE6S9160HSR5-ND
  
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• NXP USA Inc.
  FET RF 66V 880MHZ NI-880
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 21dB 58W NI-880
  
  型号：MRFE6S9200HR3
  仓库库存编号：MRFE6S9200HR3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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  FET RF 66V 880MHZ NI-880
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 21dB 58W NI-880
  
  型号：MRFE6S9200HR5
  仓库库存编号：MRFE6S9200HR5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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  FET RF 66V 880MHZ NI-880S
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 21dB 58W NI-880S
  
  型号：MRFE6S9200HSR3
  仓库库存编号：MRFE6S9200HSR3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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  FET RF 66V 880MHZ NI-880S
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 21dB 58W NI-880S
  
  型号：MRFE6S9200HSR5
  仓库库存编号：MRFE6S9200HSR5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 66V 880MHZ NI-780
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 20.8dB 40W NI-780
  
  型号：MRFE6S9201HR3
  仓库库存编号：MRFE6S9201HR3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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  FET RF 66V 880MHZ NI-780
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 20.8dB 40W NI-780
  
  型号：MRFE6S9201HR5
  仓库库存编号：MRFE6S9201HR5-ND
  
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  FET RF 66V 880MHZ NI-780S
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 20.8dB 40W NI-780S
  
  型号：MRFE6S9201HSR3
  仓库库存编号：MRFE6S9201HSR3-ND
  
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• NXP USA Inc.
  FET RF 66V 880MHZ NI-780S
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 20.8dB 40W NI-780S
  
  型号：MRFE6S9201HSR5
  仓库库存编号：MRFE6S9201HSR5-ND
  
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  FET RF 66V 880MHZ NI-880
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 21.2dB 58W NI-880
  
  型号：MRFE6S9205HR3
  仓库库存编号：MRFE6S9205HR3-ND
  
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  FET RF 66V 880MHZ NI-880
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 21.2dB 58W NI-880
  
  型号：MRFE6S9205HR5
  仓库库存编号：MRFE6S9205HR5-ND
  
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  FET RF 66V 880MHZ NI-880S
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 21.2dB 58W NI-880S
  
  型号：MRFE6S9205HSR3
  仓库库存编号：MRFE6S9205HSR3-ND
  
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  FET RF 66V 880MHZ NI-880S
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 21.2dB 58W NI-880S
  
  型号：MRFE6S9205HSR5
  仓库库存编号：MRFE6S9205HSR5-ND
  
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  FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
  详细描述：RF Mosfet pHEMT FET 6V 65mA 3.55GHz 10dB 158mW PLD-1.5
  
  型号：MRFG35002N6AT1
  仓库库存编号：MRFG35002N6AT1-ND
  
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  FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5
  详细描述：RF Mosfet pHEMT FET 12V 55mA 3.55GHz 10.8dB 3W PLD-1.5
  
  型号：MRFG35003ANR5
  仓库库存编号：MRFG35003ANR5-ND
  
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  FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5
  详细描述：RF Mosfet pHEMT FET 12V 55mA 3.55GHz 10.8dB 3W PLD-1.5
  
  型号：MRFG35003ANT1
  仓库库存编号：MRFG35003ANT1-ND
  
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• NXP USA Inc.
  FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5
  详细描述：RF Mosfet pHEMT FET 12V 80mA 3.55GHz 11dB 4.5W PLD-1.5
  
  型号：MRFG35005ANT1
  仓库库存编号：MRFG35005ANT1-ND
  别名：935313745515
  
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  FET RF 15V 3.5GHZ NI-360
  详细描述：RF Mosfet pHEMT FET 12V 300mA 3.5GHz 11.5dB 2W NI-360
  
  型号：MRFG35020AR1
  仓库库存编号：MRFG35020AR1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 15V 3.5GHZ NI-360
  详细描述：RF Mosfet pHEMT FET 12V 300mA 3.5GHz 11.5dB 20W NI-360
  
  型号：MRFG35020AR5
  仓库库存编号：MRFG35020AR5-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3714STRRPBF
  仓库库存编号：IRL3714STRRPBF-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709STRRPBF
  仓库库存编号：IRF3709STRRPBF-ND
  
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  MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 57A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44VZSTRRPBF
  仓库库存编号：IRFZ44VZSTRRPBF-ND
  
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  MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3715ZSTRRPBF
  仓库库存编号：IRL3715ZSTRRPBF-ND
  
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  MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3706STRRPBF
  仓库库存编号：IRF3706STRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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