产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84P E6433
仓库库存编号:
BSS84P E6433-ND
别名:BSS84PE6433XT
SP000012323
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 260mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS87 E6433
仓库库存编号:
BSS87 E6433-ND
别名:BSS87E6433T
SP000082233
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) TO-220AB
型号:
BTS110E3045ANTMA1
仓库库存编号:
BTS110E3045ANTMA1TR-ND
别名:BTS110 E3045A
BTS110 E3045A-ND
BTS110E3045AT
SP000011183
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
BTS113AE3045ANTMA1
仓库库存编号:
BTS113AE3045ANTMA1TR-ND
别名:BTS113A E3045A
BTS113A E3045A-ND
BTS113AE3045AT
SP000011188
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 35A(Tc) 170W(Tc) PG-TO220-5-62
型号:
BTS244Z E3062A
仓库库存编号:
BTS244Z E3062A-ND
别名:BTS244ZE3062AATMA1
BTS244ZE3062ANT
BTS244ZE3062AT
SP000012180
SP000399004
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ30A E3045A
仓库库存编号:
BUZ30A E3045A-ND
别名:BUZ30AE3045AT
SP000011337
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 14.5A(Tc) 95W(Tc) TO-263
型号:
BUZ31 E3045A
仓库库存编号:
BUZ31 E3045A-ND
别名:BUZ31E3045AT
SP000011343
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 14.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ31 E3046
仓库库存编号:
BUZ31 E3046-ND
别名:BUZ31E3046X
BUZ31E3046XK
SP000011344
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
BUZ32 E3045A
仓库库存编号:
BUZ32 E3045A-ND
别名:BUZ32E3045AT
SP000011346
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB03N03LA
仓库库存编号:
IPB03N03LA-ND
别名:IPB03N03LAT
SP000014034
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB03N03LB
仓库库存编号:
IPB03N03LB-ND
别名:IPB03N03LBT
SP000074722
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB04N03LB
仓库库存编号:
IPB04N03LB-ND
别名:IPB04N03LBT
SP000064219
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB04N03LB G
仓库库存编号:
IPB04N03LB G-ND
别名:IPB04N03LBGXT
SP000103301
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LA G
仓库库存编号:
IPB05N03LA G-ND
别名:IPB05N03LAGXT
SP000068872
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LB
仓库库存编号:
IPB05N03LB-ND
别名:IPB05N03LBT
SP000065206
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB065N06L G
仓库库存编号:
IPB065N06L G-ND
别名:IPB063N06LGXT
IPB065N06LGXT
SP000204183
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB06N03LA G
仓库库存编号:
IPB06N03LA G-ND
别名:IPB06N03LAGXT
SP000068850
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 83W(Tc) P-TO263-3
型号:
IPB06N03LB
仓库库存编号:
IPB06N03LB-ND
别名:IPB06N03LBT
SP000065274
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB06N03LB G
仓库库存编号:
IPB06N03LB G-ND
别名:IPB06N03LBGXT
SP000103304
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB09N03LA G
仓库库存编号:
IPB09N03LA G-ND
别名:IPB09N03LAGXT
SP000068859
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S3-03
仓库库存编号:
IPB100N06S3-03-ND
别名:IPB100N06S303XT
SP000087982
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB10N03LB
仓库库存编号:
IPB10N03LB-ND
别名:IPB10N03LBT
SP000064220
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB10N03LB G
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别名:IPB10N03LBGXT
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MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO263-3-2
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IPB11N03LA
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MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
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