产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
详细描述：RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 25dB PG-SOT363-6
型号：
BG3123RE6327HTSA1
仓库库存编号：
BG3123RE6327HTSA1TR-ND
别名：BG 3123R E6327
BG 3123R E6327-ND
BG3123RE6327XT
SP000015126
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
详细描述：RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 24dB PG-SOT363-6
型号：
BG3130E6327HTSA1
仓库库存编号：
BG3130E6327HTSA1TR-ND
别名：BG 3130 E6327
BG 3130 E6327-ND
BG3130E6327XT
SP000013182
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
详细描述：RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 24dB PG-SOT363-6
型号：
BG3130RE6327BTSA1
仓库库存编号：
BG3130RE6327BTSA1TR-ND
别名：BG 3130R E6327
BG 3130R E6327-ND
BG3130RE6327XT
SP000014450
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
详细描述：RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 800MHz 24dB PG-SOT363-6
型号：
BG 3230 E6327
仓库库存编号：
BG 3230 E6327-ND
别名：BG3230E6327XT
SP000013594
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
详细描述：RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 3V 10mA 800MHz 24dB PG-SOT363-6
型号：
BG 5130R E6327
仓库库存编号：
BG 5130R E6327-ND
别名：BG5130RE6327XT
SP000101237
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343
详细描述：RF Transistor NPN 3.5V 30mA 120mW Surface Mount PG-SOT343-4
型号：
BGB 540 E6327
仓库库存编号：
BGB 540 E6327-ND
别名：BGB540E6327XT
SP000013194
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC022N03S
仓库库存编号：
BSC022N03S-ND
别名：BSC022N03ST
SP000014713
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 27A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC024N025S G
仓库库存编号：
BSC024N025S G-ND
别名：BSC024N025SGXT
SP000095464
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC027N03S G
仓库库存编号：
BSC027N03S G-ND
别名：BSC027N03SGXT
SP000095462
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC032N03S
仓库库存编号：
BSC032N03S-ND
别名：BSC032N03ST
SP000014714
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 21A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC037N025S G
仓库库存编号：
BSC037N025S G-ND
别名：BSC037N025SGXT
SP000095466
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），80A（Tc） 2.8W（Ta），54W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC052N03S G
仓库库存编号：
BSC052N03S G-ND
别名：BSC052N03SGXT
SP000056192
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 15A（Ta），40A（Tc） 2.8W（Ta），60W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC072N025S G
仓库库存编号：
BSC072N025S G-ND
别名：BSC072N025SGXT
SP000095468
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 14A（Ta），35A（Tc） 2.8W（Ta），52W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC085N025S G
仓库库存编号：
BSC085N025S G-ND
别名：BSC085N025SGXT
SP000095469
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14.6A（Ta），35A（Tc） 2.8W（Ta），52W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC094N03S G
仓库库存编号：
BSC094N03S G-ND
别名：BSC094N03SGXT
SP000016415
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 13A（Ta），30A（Tc） 2.8W（Ta），43W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC106N025S G
仓库库存编号：
BSC106N025S G-ND
别名：BSC106N025SGXT
SP000095470
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO064N03S
仓库库存编号：
BSO064N03S-ND
别名：BSO064N03SXT
SP000077646
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO094N03S
仓库库存编号：
BSO094N03S-ND
别名：BSO094N03SNT
BSO094N03SXT
SP000077648
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Tc） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO104N03S
仓库库存编号：
BSO104N03S-ND
别名：BSO104N03SNT
BSO104N03SXT
SP000077649
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.2A（Ta） 1.56W（Ta） P-DSO-8
型号：
BSO130P03SNTMA1
仓库库存编号：
BSO130P03SNTMA1TR-ND
别名：BSO130P03S
BSO130P03S-ND
BSO130P03SNT
BSO130P03ST
SP000014729
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.4A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO200P03SNTMA1
仓库库存编号：
BSO200P03SNTMA1TR-ND
别名：BSO200P03S
BSO200P03S-ND
BSO200P03SNT
BSO200P03ST
SP000014959
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8.2A 2W Surface Mount P-DSO-8
型号：
BSO303PNTMA1
仓库库存编号：
BSO303PNTMA1TR-ND
别名：BSO303P
BSO303P-ND
BSO303PNT
BSO303PT
SP000012622
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 3.44A（Ta） 2.5W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO613SPV
仓库库存编号：
BSO613SPV-ND
别名：BSO613SPVT
SP000012847
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
含铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 45V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BSP60E6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP60E6327HTSA1TR-ND
别名：BSP 60 E6327
BSP 60 E6327-ND
BSP60E6327BTSA1
BSP60E6327XT
SP000011131
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 45V 1A 200MHz 1.5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BSP 60 E6433
仓库库存编号：
BSP 60 E6433-ND
别名：BSP60E6433XT
SP000011135
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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