以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 860MHZ
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 32V 2A 860MHz 18.2dB 45W NI-860C3
  
  型号：MRF377HR5
  仓库库存编号：MRF377HR5-ND
  别名：Q2202731
  Q3031314
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  TRANS NPN RF 15V 150MA SOT223
  详细描述：RF Transistor NPN 15V 150mA 6GHz 1W Surface Mount PG-SOT223-4
  
  型号：BFG135AE6327XT
  仓库库存编号：BFG135AE6327XTTR-ND
  别名：BFG 135A E6327
  BFG135AE6327
  BFG135AE6327-ND
  BFG135AE6327T
  BFG135AE6327T-ND
  Q2351394
  SP000010991
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7832ZTR
  仓库库存编号：IRF7832ZTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3711TRRPBF
  仓库库存编号：IRFR3711TRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 93A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3711ZTRLPBF
  仓库库存编号：IRFR3711ZTRLPBF-ND
  别名：SP001555110
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3502STRRPBF
  仓库库存编号：IRL3502STRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3715TRLPBF
  仓库库存编号：IRLR3715TRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8103VTRRPBF
  仓库库存编号：IRLR8103VTRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 33A（Tc） 120W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BTS247Z E3062A
  仓库库存编号：BTS247Z E3062A-ND
  别名：BTS247ZE3062AATMA1
  BTS247ZE3062ANT
  BTS247ZE3062AT
  BTS247ZE3062AT-ND
  SP000012187
  SP000399010
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），50A（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC042N03ST
  仓库库存编号：BSC042N03ST-ND
  别名：SP000014715
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta），89A（Tc） P-TDSON-8
  
  型号：BSC059N03ST
  仓库库存编号：BSC059N03ST-ND
  别名：SP000014717
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.5A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
  
  型号：BSL307SPT
  仓库库存编号：BSL307SPT-ND
  别名：SP000012585
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB09N03LAT
  仓库库存编号：IPB09N03LAT-ND
  别名：SP000016271
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB14N03LAT
  仓库库存编号：IPB14N03LAT-ND
  别名：SP000016324
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S2L03T
  仓库库存编号：SPB100N03S2L03T-ND
  别名：SP000013460
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB21N10T
  仓库库存编号：SPB21N10T-ND
  别名：SP000013626
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB35N10T
  仓库库存编号：SPB35N10T-ND
  别名：SP000013627
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 42A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB42N03S2L13T
  仓库库存编号：SPB42N03S2L13T-ND
  别名：SP000016256
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB73N03S2L08T
  仓库库存编号：SPB73N03S2L08T-ND
  别名：SP000016257
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L05T
  仓库库存编号：SPB80N03S2L05T-ND
  别名：SP000016255
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L06T
  仓库库存编号：SPB80N03S2L06T-ND
  别名：SP000016264
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-5
  
  型号：SPD100N03S2L04T
  仓库库存编号：SPD100N03S2L04T-ND
  别名：SP000013966
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L07T
  仓库库存编号：SPD30N03S2L07T-ND
  别名：SP000013749
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L10T
  仓库库存编号：SPD30N03S2L10T-ND
  别名：SP000016254
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  TRANS NPN 300V 0.05A SOT54
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 50mA 60MHz 830mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：BF420,116
  仓库库存编号：BF420,116-ND
  别名：933419650116
  BF420 T/R
  BF420 T/R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 无铅
• 搜索