产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 52W(Tc) D-Pak
型号:
GP2M002A065CG
仓库库存编号:
GP2M002A065CG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 17.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M002A065FG
仓库库存编号:
GP2M002A065FG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 52W(Tc) TO-220
型号:
GP2M002A065HG
仓库库存编号:
GP2M002A065HG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 52W(Tc) I-Pak
型号:
GP2M002A065PG
仓库库存编号:
GP2M002A065PG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4A(Tc) 86.2W(Tc) D-Pak
型号:
GP2M004A060CG
仓库库存编号:
GP2M004A060CG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4A(Tc) 30.4W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M004A060FG
仓库库存编号:
GP2M004A060FG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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MOSFET N-CH 600V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4A(Tc) 86.2W(Tc) TO-220
型号:
GP2M004A060HG
仓库库存编号:
GP2M004A060HG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 4A(Tc) 98.4W(Tc) D-Pak
型号:
GP2M004A065CG
仓库库存编号:
GP2M004A065CG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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MOSFET N-CH 650V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 4A(Tc) 98.4W(Tc) TO-220
型号:
GP2M004A065HG
仓库库存编号:
GP2M004A065HG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 32.9W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M005A050FG
仓库库存编号:
GP2M005A050FG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 98.4W(Tc) TO-220
型号:
GP2M005A050HG
仓库库存编号:
GP2M005A050HG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.2A(Tc) 98.4W(Tc) I-Pak
型号:
GP2M005A060PG
仓库库存编号:
GP2M005A060PG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
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MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6.5A(Tc) 120W(Tc) TO-220
型号:
GP2M007A065HG
仓库库存编号:
GP2M007A065HG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
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MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 120W(Tc) D-Pak
型号:
GP2M008A060CG
仓库库存编号:
GP2M008A060CG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M008A060FG
仓库库存编号:
GP2M008A060FG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 120W(Tc) TO-220
型号:
GP2M008A060HG
仓库库存编号:
GP2M008A060HG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 120W(Tc) I-Pak
型号:
GP2M008A060PG
仓库库存编号:
GP2M008A060PG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 89W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M009A090FG
仓库库存编号:
GP2M009A090FG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M009A090NG
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GP2M009A090NG-ND
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 198W(Tc) TO-220
型号:
GP2M010A060H
仓库库存编号:
GP2M010A060H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 231W(Tc) TO-220
型号:
GP2M012A060H
仓库库存编号:
GP2M012A060H-ND
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 18A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M020A050F
仓库库存编号:
GP2M020A050F-ND
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M020A050N
仓库库存编号:
GP2M020A050N-ND
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 500V 23A(Tc) 347W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M023A050N
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产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
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Skyworks Solutions Inc.
DIODE VARACTOR 15V 20MA SOT-23
详细描述:Varactor Single 15V Surface Mount SOT-23
型号:
SMV1235-001LF
仓库库存编号:
SMV1235-001LF-ND
别名:Q8883978
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