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• Ampleon USA Inc.
  RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12512
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 500mA 2.5GHz ~ 2.69GHz 14.5dB 56W SOT-1251-2
  
  型号：BLC8G27LS-245AVY
  仓库库存编号：BLC8G27LS-245AVY-ND
  别名：934068216518
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Skyworks Solutions Inc.
  DIODE VARACTOR 15V 20MA SOT-23
  详细描述：Varactor Single 15V Surface Mount SOT-23
  
  型号：SMV1235-001
  仓库库存编号：SMV1235-001-ND
  别名：Q8801380
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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  含铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M003A040CG
  仓库库存编号：GP1M003A040CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 2A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A040PG
  仓库库存编号：GP1M003A040PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 52W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M003A050CG
  仓库库存编号：GP1M003A050CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 52.1W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M003A050HG
  仓库库存编号：GP1M003A050HG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 52W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A050PG
  仓库库存编号：GP1M003A050PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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  MOSFET N-CH 800V 3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M003A080H
  仓库库存编号：GP1M003A080H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A080PH
  仓库库存编号：GP1M003A080PH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4A（Tc） 38.7W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M004A090FH
  仓库库存编号：GP1M004A090FH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4A（Tc） 123W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M004A090H
  仓库库存编号：GP1M004A090H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.4A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M005A040CG
  仓库库存编号：GP1M005A040CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.4A（Tc） 50W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M005A040PG
  仓库库存编号：GP1M005A040PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 92.5W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M005A050CH
  仓库库存编号：GP1M005A050CH-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M005A050FH
  仓库库存编号：GP1M005A050FH-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 92.5W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M005A050H
  仓库库存编号：GP1M005A050H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 92.5W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M005A050PH
  仓库库存编号：GP1M005A050PH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M006A065CH
  仓库库存编号：GP1M006A065CH-ND
  
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M006A065F
  仓库库存编号：GP1M006A065F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 120W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M006A065PH
  仓库库存编号：GP1M006A065PH-ND
  
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M006A070F
  仓库库存编号：GP1M006A070F-ND
  
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 250V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8A（Tc） 52W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M008A025CG
  仓库库存编号：GP1M008A025CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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  MOSFET N-CH 250V 8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Tc） 17.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M008A025FG
  仓库库存编号：GP1M008A025FG-ND
  
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  MOSFET N-CH 250V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Tc） 52W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M008A025HG
  仓库库存编号：GP1M008A025HG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 120W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M008A050PG
  仓库库存编号：GP1M008A050PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
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