产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 50A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 50A(Tc) 1.8W(Ta),90W(Tc) TO-263
型号:
NP50P04KDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP50P04KDG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 50A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 50A(Tc) 1.8W(Ta),90W(Tc) TO-263
型号:
NP50P06KDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP50P06KDG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 55A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 1.2W(Ta),77W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP55N03SUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP55N03SUG-E1-AY-ND
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无铅
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MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 55A(Tc) 1.2W(Ta),77W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP55N055SDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP55N055SDG-E1-AY-ND
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无铅
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MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 55A(Tc) 1.2W(Ta),77W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP55N055SUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP55N055SUG-E1-AY-ND
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 60A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 1.8W(Ta),88W(Tc) TO-263
型号:
NP60N03KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N03KUG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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MOSFET N-CH 40V 60A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 1.8W(Ta),88W(Tc) TO-263
型号:
NP60N04KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N04KUG-E1-AY-ND
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MOSFET N-CH 55V 60A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 60A(Tc) 1.8W(Ta),88W(Tc) TO-263
型号:
NP60N055KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N055KUG-E1-AY-ND
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 1.8W(Ta),120W(Tc) TO-263
型号:
NP80N04KHE-E1-AY
仓库库存编号:
NP80N04KHE-E1-AY-ND
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 1.8W(Ta),120W(Tc) TO-263
型号:
NP80N055KLE-E1-AY
仓库库存编号:
NP80N055KLE-E1-AY-ND
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无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 82A(Tc) 1.8W(Ta),143W(Tc) TO-263
型号:
NP82N04PDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP82N04PDG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 75V 84A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 84A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP84N075KUE-E1-AY
仓库库存编号:
NP84N075KUE-E1-AY-ND
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 88A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP88N055KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP88N055KUG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 75V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 88A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-263
型号:
NP88N075KUE-E1-AY
仓库库存编号:
NP88N075KUE-E1-AY-ND
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Torex Semiconductor Ltd
DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 40V 3A SMA
型号:
XBS304S17R-G
仓库库存编号:
XBS304S17R-G-ND
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Ta) DPAK
型号:
TK40P03M1(T6RDS-Q)
仓库库存编号:
TK40P03M1(T6RDS-Q)-ND
别名:TK40P03M1T6RDSQ
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 40A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 40A(Ta) 93W(Tc) DPAK+
型号:
TK40S10K3Z(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TK40S10K3Z(T6L1NQ-ND
别名:TK40S10K3Z(T6L1NQ
TK40S10K3ZT6L1NQ
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 45A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 45A(Ta) DPAK
型号:
TK45P03M1,RQ(S
仓库库存编号:
TK45P03M1RQ(S-ND
别名:TK45P03M1RQ(S
TK45P03M1RQS
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4A(Ta) 80W(Tc) D-Pak
型号:
TK4P50D(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK4P50D(T6RSS-Q)-ND
别名:TK4P50DT6RSSQ
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 3.5A(Ta) 80W(Tc) D-Pak
型号:
TK4P55DA(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK4P55DA(T6RSS-Q)-ND
别名:TK4P55DAT6RSSQ
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 4A(Ta) 80W(Tc) D-Pak
型号:
TK4P55D(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK4P55D(T6RSS-Q)-ND
别名:TK4P55DT6RSSQ
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.5A(Ta) 80W(Tc) D-Pak
型号:
TK4P60DA(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK4P60DA(T6RSS-Q)-ND
别名:TK4P60DAT6RSSQ
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.7A(Ta) 80W(Tc) D-Pak
型号:
TK4P60DB(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK4P60DB(T6RSS-Q)-ND
别名:TK4P60DBT6RSSQ
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.9A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6008-H(TE85L,FM
仓库库存编号:
TPC6008-H(TE85LFM-ND
别名:TPC6008-H(TE85LFM
TPC6008HTE85LFM
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 5.3A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6009-H(TE85L,FM
仓库库存编号:
TPC6009-H(TE85LFM-ND
别名:TPC6009-H(TE85LFM
TPC6009HTE85LFM
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带卷(TR) ,
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