以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S207ATMA4
  仓库库存编号：IPB80N06S207ATMA4-ND
  别名：SP001067870
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 120A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120P04P404ATMA1
  仓库库存编号：IPB120P04P404ATMA1-ND
  别名：SP000842270
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP135H6906XTSA1
  仓库库存编号：BSP135H6906XTSA1-ND
  别名：SP001058594
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 12A 77W DPAK
  详细描述：IGBT Trench 600V 12A 77W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRGR4045DTRLPBF
  仓库库存编号：IRGR4045DTRLPBF-ND
  别名：SP001542342
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 33A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
  
  型号：BSG0813NDIATMA1
  仓库库存编号：BSG0813NDIATMA1-ND
  别名：SP001241676
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 163W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR8405TRL
  仓库库存编号：IFAUIRFR8405TRL-ND
  别名：IFAUIRFR8405TRL
  SP001522904
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：AUIRFR4620TRL
  仓库库存编号：AUIRFR4620TRL-ND
  别名：SP001516660
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：AUIRFZ24NSTRL
  仓库库存编号：AUIRFZ24NSTRL-ND
  别名：SP001522352
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V D2-PAK AUTO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRLZ24NSTRL
  仓库库存编号：AUIRLZ24NSTRL-ND
  别名：SP001516890
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R660CFDAATMA1
  仓库库存编号：IPB65R660CFDAATMA1-ND
  别名：SP000875794
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB160N04S4LH1ATMA1
  仓库库存编号：IPB160N04S4LH1ATMA1-ND
  别名：SP000979640
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 90A（Tc） 144W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD90N08S405ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N08S405ATMA1-ND
  别名：SP000984282
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
  详细描述：IGBT 1200V 11A 60W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BH20K-STRLP
  仓库库存编号：IRG4BH20K-STRLP-ND
  别名：SP001540346
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB029N06N3GE8187ATMA1
  仓库库存编号：IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND
  别名：IPB029N06N3 G E8187
  IPB029N06N3 G E8187-ND
  SP000939334
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 12A 77W DPAK
  详细描述：IGBT Trench 600V 12A 77W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRGR4045DTRPBF
  仓库库存编号：IRGR4045DTRPBF-ND
  别名：SP001534044
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB90N06S4L04ATMA2
  仓库库存编号：IPB90N06S4L04ATMA2-ND
  别名：SP001028756
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N04S4L02ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N04S4L02ATMA1-ND
  别名：SP000979924
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2LH5ATMA4
  仓库库存编号：IPB80N06S2LH5ATMA4-ND
  别名：SP001058126
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 39A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
  
  型号：BSG0810NDIATMA1
  仓库库存编号：BSG0810NDIATMA1-ND
  别名：SP001241674
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N06S403ATMA2
  仓库库存编号：IPB120N06S403ATMA2-ND
  别名：SP001028770
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 187A AUTO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 95A（Tc） 3.3W（Ta），136W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：AUIRFN8405TR
  仓库库存编号：AUIRFN8405TR-ND
  别名：SP001519644
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3
  详细描述：IGBT Trench 600V 30A 240W Surface Mount PG-TO252-3
  
  型号：IKD15N60RFAATMA1
  仓库库存编号：IKD15N60RFAATMA1-ND
  别名：SP001205248
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-263
  
  型号：IPB60R280P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R280P6ATMA1-ND
  别名：SP001364468
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 43A（Tc） 71W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS3806TRL
  仓库库存编号：AUIRFS3806TRL-ND
  别名：SP001516146
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
  详细描述：IGBT 1200V 9.6A 62.5W Surface Mount PG-TO263-3-2
  
  型号：IKB03N120H2ATMA1
  仓库库存编号：IKB03N120H2ATMA1TR-ND
  别名：IKB03N120H2
  IKB03N120H2-ND
  SP000014272
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 带卷（TR） ,
• 
  
  无铅
• 搜索