产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(2579)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(184)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(2395)
筛选品牌
Infineon Technologies(2573)
Vishay Semiconductor Diodes Division(4)
Vishay Siliconix(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17.6A（Ta） 3.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7809TR
仓库库存编号：
IRF7809TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 28V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 14A（Ta） 3.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7811TR
仓库库存编号：
IRF7811TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9410TR
仓库库存编号：
IRF9410TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.8A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9520NSTRL
仓库库存编号：
IRF9520NSTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.8A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9520NSTRR
仓库库存编号：
IRF9520NSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 14A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9530NSTRR
仓库库存编号：
IRF9530NSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 23A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9540NSTRR
仓库库存编号：
IRF9540NSTRR-ND
别名：SP001555904
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF9952TR
仓库库存编号：
IRF9952TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF9953TR
仓库库存编号：
IRF9953TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF9956TR
仓库库存编号：
IRF9956TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 12A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z24NSTRL
仓库库存编号：
IRF9Z24NSTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 12A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z24NSTRR
仓库库存编号：
IRF9Z24NSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z34NSTRR
仓库库存编号：
IRF9Z34NSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 40A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 75V 40A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI2807
仓库库存编号：
IRFI2807-ND
别名：*IRFI2807
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 41A TO-220FP
详细描述：通孔 P 沟道 55V 41A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI4905
仓库库存编号：
IRFI4905-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO-220FP
详细描述：通孔 P 沟道 100V 7.7A（Ta） TO-220AB 整包
型号：
IRFI9530N
仓库库存编号：
IRFI9530N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 9.5A TO-220FP
详细描述：通孔 P 沟道 55V 9.5A（Tc） 29W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI9Z24N
仓库库存编号：
IRFI9Z24N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 14A TO-220FP
详细描述：通孔 P 沟道 55V 14A（Tc） 37W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI9Z34N
仓库库存编号：
IRFI9Z34N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 2.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL024NTR
仓库库存编号：
IRFL024NTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL1006TR
仓库库存编号：
IRFL1006TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR024NTRR
仓库库存编号：
IRFR024NTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 44A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1205TRL
仓库库存编号：
IRFR1205TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 44A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1205TRR
仓库库存编号：
IRFR1205TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N20DTRL
仓库库存编号：
IRFR13N20DTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N20DTR
仓库库存编号：
IRFR13N20DTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 HEXFET?,
含铅
搜索
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
