以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 130W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH11N65E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH11N65E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH11N65E-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 50A 428W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 428W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：FGH25T120SMD_F155
  仓库库存编号：FGH25T120SMD_F155-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 130W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH11N65EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH11N65EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH11N65EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  IGBT 650V 85A 277W TO-247N
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N
  
  型号：RGTH00TS65DGC11
  仓库库存编号：RGTH00TS65DGC11-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 600V 80A 260.4W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60F5DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60F5DPK-00#T0-ND
  别名：RJH60F5DPK00T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  TRANS PNP 180V 15A TO3PF
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 180V 15A 20MHz 85W Through Hole TO-3PF
  
  型号：2SA1673
  仓库库存编号：2SA1673-ND
  别名：2SA1673 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1000V 60A 180W TO264
  详细描述：IGBT NPT and Trench 1000V 60A 180W Through Hole TO-264
  
  型号：FGL60N100BNTDTU
  仓库库存编号：FGL60N100BNTDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  MOSFET 3N/3P-CH 250V 2A 12-SIP
  详细描述：Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 250V 2A Through Hole 12-SIP
  
  型号：SMA5131
  仓库库存编号：SMA5131-ND
  别名：SMA5131 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  不受无铅要求限制
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB22N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N65E-GE3CT-ND
  别名：SIHB22N65E-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 40A 160W TO3P
  详细描述：IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-3P
  
  型号：SGH40N60UFTU
  仓库库存编号：SGH40N60UFTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 50A 245W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 1200V 50A 245W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH1CV5DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH1CV5DPK-00#T0-ND
  别名：RJH1CV5DPK00T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  THYRISTOR PHASE 1400V TO-247AD
  详细描述：SCR 1400V 49A Standard Recovery Through Hole TO-247AD
  
  型号：CS30-14IO1
  仓库库存编号：CS30-14IO1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4
  详细描述：标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-4
  
  型号：1N3673AR
  仓库库存编号：1242-1055-ND
  别名：1242-1055
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH14N65EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH14N65EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH14N65EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A
  详细描述：IGBT Trench 600V 85A 297.6W Through Hole TO-247A
  
  型号：RJH60F6BDPQ-A0#T0
  仓库库存编号：RJH60F6BDPQ-A0#T0-ND
  别名：RJH60F6BDPQA0T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
  详细描述：IGBT Trench 600V 60A 41.2W Through Hole TO-3PFM
  
  型号：RJP60F4DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJP60F4DPM-00#T1-ND
  别名：RJP60F4DPM00T1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  DIODE GEN PURP 50V 12A DO4
  详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 12A DO-4
  
  型号：1N3889
  仓库库存编号：1242-1048-ND
  别名：1242-1048
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 200V 22A TO-220D
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 2W（Ta），40W（Tc） TO-220D-A1
  
  型号：2SK3892
  仓库库存编号：2SK3892-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 174W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH21N60EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH21N60EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH21N60EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 60A 290W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 1200V 60A 290W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH1CV6DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH1CV6DPK-00#T0-ND
  别名：RJH1CV6DPK00T0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 90A 300W TO-247
  详细描述：IGBT Trench 600V 90A 300W Through Hole TO-247
  
  型号：RJH60D7BDPQ-E0#T2
  仓库库存编号：RJH60D7BDPQ-E0#T2-ND
  别名：RJH60D7BDPQE0T2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V 16SOIC
  详细描述：Diode Array 4 Independent Schottky 3A (DC) Surface Mount 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  
  型号：UC3611DW
  仓库库存编号：296-11233-5-ND
  别名：296-11233-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  SCR 30A 200V TOP3
  详细描述：SCR 200V 30A Standard Recovery Through Hole TOP3
  
  型号：BTW68-200RG
  仓库库存编号：497-4185-5-ND
  别名：497-4185-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Littelfuse Inc.
  DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO252-2
  详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 18.1A（DC） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：LSIC2SD120C05
  仓库库存编号：F10086CT-ND
  别名：F10086CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  TRANS 3NPN/3PNP DARL 12SIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) 80V, 100V 5A 5W Surface Mount 12-SIP
  
  型号：SLA6022
  仓库库存编号：SLA6022-ND
  别名：SLA6022 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 -,
• 
  
  不受无铅要求限制
• 搜索