产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 43A（Tc） 47W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI4410ZGPBF
仓库库存编号：
IRFI4410ZGPBF-ND
别名：SP001572644
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 28A（Ta），105A（Tc） 3.6W（Ta），52W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRLH6224TR2PBF
仓库库存编号：
IRLH6224TR2PBFCT-ND
别名：IRLH6224TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 19A（Ta），74A（Tc） 2.1W（Ta），32W（Tc） DIRECTFET? SQ
型号：
IRF6811STR1PBF
仓库库存编号：
IRF6811STR1PBFCT-ND
别名：IRF6811STR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 32A（Ta），160A（Tc） 2.1W（Ta），54W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6894MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6894MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6894MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 35A（Ta），213A（Tc） 2.1W（Ta），78W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6898MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6898MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6898MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），75W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF8306MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF8306MTR1PBFCT-ND
别名：IRF8306MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 14A（Ta），75A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH7107TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH7107TR2PBFCT-ND
别名：IRFH7107TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.4A（Ta），45A（Tc） 76W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC205N10LS G
仓库库存编号：
BSC205N10LS GCT-ND
别名：BSC205N10LS GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 37A（Tc） 66W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC240N12NS3 G
仓库库存编号：
BSC240N12NS3 GCT-ND
别名：BSC240N12NS3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 22A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC882N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC882N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC882N03MS GCT
BSC882N03MS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 19A（Ta），98A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC883N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC883N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC883N03MS GCT
BSC883N03MS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 17A（Ta），85A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC884N03MS G
仓库库存编号：
BSC884N03MS GCT-ND
别名：BSC884N03MS GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），45A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC889N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC889N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC889N03LS GCT
BSC889N03LS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 44A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC889N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC889N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC889N03MS GCT
BSC889N03MS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 13A（Ta），56A（Tc） 2.2W（Ta），38W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF077N06NT3GXUMA1
仓库库存编号：
BSF077N06NT3GXUMA1CT-ND
别名：BSF077N06NT3 GCT
BSF077N06NT3 GCT-ND
BSF077N06NT3G
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP125L6433HTMA1
仓库库存编号：
BSP125L6433HTMA1CT-ND
别名：BSP125 L6433CT
BSP125 L6433CT-ND
BSP125L6433
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP135L6433HTMA1
仓库库存编号：
BSP135L6433HTMA1CT-ND
别名：BSP135 L6433CT
BSP135 L6433CT-ND
BSP135L6433
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP320SL6433HTMA1
仓库库存编号：
BSP320SL6433HTMA1CT-ND
别名：BSP320S L6433CT
BSP320S L6433CT-ND
BSP320SL6433
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB022N04LGATMA1
仓库库存编号：
IPB022N04LGATMA1CT-ND
别名：IPB022N04L GCT
IPB022N04L GCT-ND
IPB022N04LG
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB023N04NGATMA1
仓库库存编号：
IPB023N04NGATMA1CT-ND
别名：IPB023N04N GCT
IPB023N04N GCT-ND
IPB023N04NG
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 140A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB023N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB023N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPB023N06N3 GCT
IPB023N06N3 GCT-ND
IPB023N06N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB039N04LGATMA1
仓库库存编号：
IPB039N04LGATMA1CT-ND
别名：IPB039N04L GCT
IPB039N04L GCT-ND
IPB039N04LG
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB041N04NGATMA1
仓库库存编号：
IPB041N04NGATMA1CT-ND
别名：IPB041N04N GCT
IPB041N04N GCT-ND
IPB041N04NG
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB049N06L3GATMA1
仓库库存编号：
IPB049N06L3GATMA1CT-ND
别名：IPB049N06L3 GCT
IPB049N06L3 GCT-ND
IPB049N06L3G
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB052N04NGATMA1
仓库库存编号：
IPB052N04NGATMA1CT-ND
别名：IPB052N04N GCT
IPB052N04N GCT-ND
IPB052N04NG
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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