产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRLR2905
仓库库存编号：
AUIRLR2905-ND
别名：SP001516026
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRLR2905Z
仓库库存编号：
AUIRLR2905Z-ND
别名：SP001522326
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 130W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRLR3705Z
仓库库存编号：
AUIRLR3705Z-ND
别名：SP001516266
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Tc） 2.5W（Ta），20W（Tc） DIRECTFET S1
型号：
IRF6708S2TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6708S2TR1PBF-ND
别名：SP001523958
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Tc） 2.5W（Ta），20W（Tc） DIRECTFET S1
型号：
IRF6708S2TRPBF
仓库库存编号：
IRF6708S2TRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9332PBF
仓库库存编号：
IRF9332PBF-ND
别名：SP001563824
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9392PBF
仓库库存编号：
IRF9392PBF-ND
别名：SP001577592
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3607GPBF
仓库库存编号：
IRFB3607GPBF-ND
别名：SP001577820
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 158W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK6507-55C,127
仓库库存编号：
568-7487-5-ND
别名：568-7487-5
934064253127
BUK6507-55C,127-ND
BUK650755C127
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 77A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 77A（Tc） 158W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK6510-75C,127
仓库库存编号：
568-7489-5-ND
别名：568-7489-5
934064248127
BUK6510-75C,127-ND
BUK651075C127
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 120A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK653R2-55C,127
仓库库存编号：
568-7495-5-ND
别名：568-7495-5
934064468127
BUK653R2-55C,127-ND
BUK653R255C127
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 204W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK653R4-40C,127
仓库库存编号：
568-7496-5-ND
别名：568-7496-5
934064252127
BUK653R4-40C,127-ND
BUK653R440C127
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK653R5-55C,127
仓库库存编号：
568-7497-5-ND
别名：568-7497-5
934064238127
BUK653R5-55C,127-ND
BUK653R555C127
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 158W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK653R7-30C,127
仓库库存编号：
568-7498-5-ND
别名：568-7498-5
934064244127
BUK653R7-30C,127-ND
BUK653R730C127
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK654R0-75C,127
仓库库存编号：
568-7499-5-ND
别名：568-7499-5
934064237127
BUK654R0-75C,127-ND
BUK654R075C127
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 204W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK654R6-55C,127
仓库库存编号：
568-7500-5-ND
别名：568-7500-5
934064246127
BUK654R6-55C,127-ND
BUK654R655C127
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK655R0-75C,127
仓库库存编号：
568-7502-5-ND
别名：568-7502-5
934064245127
BUK655R0-75C,127-ND
BUK655R075C127
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 22A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 22A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），105W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5204TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5204TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5204TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 5A（Ta），27A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5215TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5215TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5215TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.8A（Ta），20A（Tc） 3.6W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5220TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5220TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5220TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 10A（Ta），12A（Tc） 1.98W（Ta），9.6W（Tc） 6-PQFN（2x2）
型号：
IRLHS6242TR2PBF
仓库库存编号：
IRLHS6242TR2PBFCT-ND
别名：IRLHS6242TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.7A（Ta），19A（Tc） 2.1W（Ta） 6-PQFN（2x2）
型号：
IRLHS6342TR2PBF
仓库库存编号：
IRLHS6342TR2PBFCT-ND
别名：IRLHS6342TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），120A（Tc） 3.6W（Ta），59W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH8318TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH8318TR2PBFCT-ND
别名：IRFH8318TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），82A（Tc） 3.6W（Ta），54W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH8325TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH8325TR2PBFCT-ND
别名：IRFH8325TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），56A（Tc） 3.3W（Ta），35W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH8330TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH8330TR2PBFCT-ND
别名：IRFH8330TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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