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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB034N06N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB034N06N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB034N06N3 GCT
  IPB034N06N3 GCT-ND
  IPB034N06N3G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R600CPATMA1
  仓库库存编号：IPB60R600CPATMA1CT-ND
  别名：IPB60R600CPCT
  IPB60R600CPCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 75A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD110N12N3GBUMA1
  仓库库存编号：IPD110N12N3GBUMA1CT-ND
  别名：IPD110N12N3 GCT
  IPD110N12N3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD600N25N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD600N25N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD600N25N3 GCT
  IPD600N25N3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 74A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 56A（Ta） 143W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9204PBF
  仓库库存编号：IRF9204PBF-ND
  别名：SP001555810
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 370W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3077GPBF
  仓库库存编号：IRFB3077GPBF-ND
  别名：SP001555982
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 130A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4310GPBF
  仓库库存编号：IRFB4310GPBF-ND
  别名：SP001564018
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4310ZGPBF
  仓库库存编号：IRFB4310ZGPBF-ND
  别名：SP001575544
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 250V 45A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 45A（Tc） 330W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4229PBF
  仓库库存编号：IRFSL4229PBF-ND
  别名：SP001567750
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 195A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLB3036GPBF
  仓库库存编号：IRLB3036GPBF-ND
  别名：SP001558722
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 86A（Tc） 75W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU8726PBF
  仓库库存编号：IRLU8726PBF-ND
  别名：SP001573088
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 58A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 58A（Tc） 55W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU8729-701PBF
  仓库库存编号：IRLU8729-701PBF-ND
  别名：IRLU8729PBF
  IRLU8729PBF-ND
  SP001552984
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 120A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1405ZSTRL7PP
  仓库库存编号：IRF1405ZSTRL7PPCT-ND
  别名：IRF1405ZSTRL7PPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 12A（Ta），39A（Tc） 1.8W（Ta），21W（Tc） DIRECTFET S1
  
  型号：IRF6709S2TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6709S2TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6709S2TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 19A（Ta），84A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SQ
  
  型号：IRF6711STR1PBF
  仓库库存编号：IRF6711STR1PBFCT-ND
  别名：IRF6711STR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 37A（Ta），197A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6798MTR1PBF
  仓库库存编号：IRF6798MTR1PBFCT-ND
  别名：IRF6798MTR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7220GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7220GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7220GTRPBFCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 6.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7406GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7406GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7406GTRPBFCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7413GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7413GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7413GTRPBFCT
  
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  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7413ZGTRPBF
  仓库库存编号：IRF7413ZGTRPBFCT-ND
  别名：IRF7413ZGTRPBFCT
  
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  MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7424GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7424GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7424GTRPBFCT
  
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  MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.7A（Ta） 1.25W（Ta） 8-uSMD
  
  型号：IRF7524D1GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7524D1GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7524D1GTRPBFCT
  
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  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7811WGTRPBF
  仓库库存编号：IRF7811WGTRPBFCT-ND
  别名：IRF7811WGTRPBFCT
  
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  MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7821GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7821GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7821GTRPBFCT
  
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  MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8113GTRPBF
  仓库库存编号：IRF8113GTRPBFCT-ND
  别名：IRF8113GTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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