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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 40A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5250DTR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5250DTR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5250DTR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 15A（Ta），51A（Tc） 3.6W（Ta），26W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5255TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5255TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5255TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 29A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5302DTR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5302DTR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5302DTR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta），79A（Tc） 3.6W（Ta），46W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5304TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5304TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5304TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRLH5030TR2PBF
  仓库库存编号：IRLH5030TR2PBFCT-ND
  别名：IRLH5030TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 45A（Tc） 103W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7524-55,127
  仓库库存编号：BUK7524-55,127-ND
  别名：934045180127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 34A（Tc） 85W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK9535-55,127
  仓库库存编号：BUK9535-55,127-ND
  别名：934050420127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Tc） 79W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD18NQ10T,118
  仓库库存编号：PHD18NQ10T,118-ND
  别名：934055700118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP45NQ10TA,127
  仓库库存编号：PHP45NQ10TA,127-ND
  别名：934059957127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 166W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7628-100A/C,118
  仓库库存编号：BUK7628-100A/C,118-ND
  别名：934060683118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 33A（Tc） 114W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9240-100A/C1,11
  仓库库存编号：BUK9240-100A/C1,11-ND
  别名：934061623118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 32A（Tc） 77W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9237-55A/C1,118
  仓库库存编号：BUK9237-55A/C1,118-ND
  别名：934061634118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 48A（Tc） 103W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9222-55A/C1,118
  仓库库存编号：BUK9222-55A/C1,118-ND
  别名：934061635118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7210-55B/C1,118
  仓库库存编号：BUK7210-55B/C1,118-ND
  别名：934062108118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH4530AL,115
  仓库库存编号：PH4530AL,115-ND
  别名：934063198115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Ta） 250mW（Ta） DFN1006-3
  
  型号：2N7002PM,315
  仓库库存编号：2N7002PM,315-ND
  别名：934064133315
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），174A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB019N03LX G
  仓库库存编号：BSB019N03LX G-ND
  别名：SP000597826
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），145A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB024N03LX G
  仓库库存编号：BSB024N03LX G-ND
  别名：SP000597838
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），71A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB053N03LP G
  仓库库存编号：BSB053N03LP G-ND
  别名：SP000597830
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），71A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF053N03LT G
  仓库库存编号：BSF053N03LT G-ND
  别名：SP000597832
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），53A（Tc） 2.2W（Ta），36W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF083N03LQ G
  仓库库存编号：BSF083N03LQ G-ND
  别名：SP000597834
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS127H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS127H6327XTSA1-ND
  别名：BSS127 H6327
  BSS127 H6327-ND
  SP000705718
  
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  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS159NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS159NH6327XTSA1-ND
  别名：BSS159N H6327
  BSS159N H6327-ND
  SP000639076
  
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  MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS314PEL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS314PEL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS314PE L6327
  BSS314PE L6327-ND
  SP000473000
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS806NL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS806NL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS806N L6327
  BSS806N L6327-ND
  SP000464848
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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