产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 100W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N04S306AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N04S306AKSA1-ND
别名：IPP80N04S3-06
IPP80N04S3-06-ND
IPP80N04S306
SP000261233
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S205AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N06S205AKSA1-ND
别名：IPP80N06S2-05
IPP80N06S2-05-ND
SP000218873
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S207AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N06S207AKSA1-ND
别名：IPP80N06S2-07
IPP80N06S2-07-ND
SP000218810
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S208AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N06S208AKSA1-ND
别名：IPP80N06S2-08
IPP80N06S2-08-ND
SP000218826
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S209AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N06S209AKSA1-ND
别名：IPP80N06S2-09
IPP80N06S2-09-ND
SP000218740
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2H5AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N06S2H5AKSA1-ND
别名：IPP80N06S2-H5
IPP80N06S2-H5-ND
SP000218155
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2L06AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N06S2L06AKSA1-ND
别名：IPP80N06S2L-06
IPP80N06S2L-06-ND
SP000218824
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2L09AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N06S2L09AKSA1-ND
别名：IPP80N06S2L-09
IPP80N06S2L-09-ND
SP000218742
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2L11AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N06S2L11AKSA1-ND
别名：IPP80N06S2L-11
IPP80N06S2L-11-ND
SP000218175
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2LH5AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N06S2LH5AKSA1-ND
别名：IPP80N06S2L-H5
IPP80N06S2L-H5-ND
SP000219067
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3-11
详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS075N03LGAKMA1
仓库库存编号：
IPS075N03LGAKMA1-ND
别名：IPS075N03L G
IPS075N03L G-ND
IPS075N03LG
SP000705726
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
详细描述：通孔 N 沟道 100V 69A（Tc） 125W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS12CN10LGBKMA1
仓库库存编号：
IPS12CN10LGBKMA1-ND
别名：IPS12CN10L G
IPS12CN10L G-ND
SP000311530
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 550V 7.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS50R520CP
仓库库存编号：
IPS50R520CP-ND
别名：SP000236067
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU075N03L G
仓库库存编号：
IPU075N03L G-ND
别名：SP000271467
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU103N08N3 G
仓库库存编号：
IPU103N08N3 G-ND
别名：SP000521640
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 44W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU64CN10N G
仓库库存编号：
IPU64CN10N G-ND
别名：SP000209097
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU78CN10N G
仓库库存编号：
IPU78CN10N G-ND
别名：SP000209098
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R250CP
仓库库存编号：
IPW60R250CP-ND
别名：IPW60R250CPFKSA1
SP000310511
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
SN7002W L6327
仓库库存编号：
SN7002W L6327-ND
别名：SP000245414
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
SN7002W L6433
仓库库存编号：
SN7002W L6433-ND
别名：SP000245413
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L10GBTMA1
仓库库存编号：
SPD30N03S2L10GBTMA1TR-ND
别名：SP000443918
SPD30N03S2L-10 G
SPD30N03S2L-10 G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPI11N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000229994
SP000680990
SPI11N60CFD
SPI11N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.4A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI15N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPI15N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000264433
SP000681000
SPI15N60CFD
SPI15N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI20N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPI20N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000229995
SP000681008
SPI20N60CFD
SPI20N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP07N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPP07N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000264424
SP000681032
SPP07N60CFD
SPP07N60CFD-ND
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