产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(25202)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(25202)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(1099)
Central Semiconductor Corp(51)
Comchip Technology(2)
Cree/Wolfspeed(1)
Diodes Incorporated(1149)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(3)
Fairchild/ON Semiconductor(2994)
Global Power Technologies Group(133)
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors(4)
Infineon Technologies(5420)
IXYS(1981)
IXYS Integrated Circuits Division(19)
Micro Commercial Co(37)
Microchip Technology(184)
Microsemi Corporation(561)
Nexperia USA Inc.(1005)
NXP USA Inc.(454)
ON Semiconductor(1930)
Panasonic Electronic Components(91)
Renesas Electronics America(339)
Rohm Semiconductor(576)
Sanken(101)
STMicroelectronics(2107)
Taiwan Semiconductor Corporation(543)
Texas Instruments(204)
Torex Semiconductor Ltd(13)
Toshiba Semiconductor and Storage(676)
TT Electronics/Optek Technology(3)
Vicor Corporation(1)
Vishay Semiconductor Diodes Division(11)
Vishay Siliconix(3509)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB16CN10N G
仓库库存编号：
IPB16CN10N G-ND
别名：SP000096452
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB26CN10NGATMA1
仓库库存编号：
IPB26CN10NGATMA1TR-ND
别名：IPB26CN10N G
IPB26CN10N G-ND
SP000277692
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-263
型号：
IPB26CNE8N G
仓库库存编号：
IPB26CNE8N G-ND
别名：SP000292948
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB34CN10NGATMA1
仓库库存编号：
IPB34CN10NGATMA1TR-ND
别名：IPB34CN10N G
IPB34CN10N G-ND
SP000277693
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB50CN10NGATMA1
仓库库存编号：
IPB50CN10NGATMA1TR-ND
别名：IPB50CN10N G
IPB50CN10N G-ND
SP000277696
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB60R250CPATMA1
仓库库存编号：
IPB60R250CPATMA1TR-ND
别名：IPB60R250CP
IPB60R250CP-ND
SP000358140
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB77N06S212ATMA1
仓库库存编号：
IPB77N06S212ATMA1TR-ND
别名：IPB77N06S2-12
IPB77N06S2-12-ND
SP000218173
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB79CN10N G
仓库库存编号：
IPB79CN10N G-ND
别名：SP000277697
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S204ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S204ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2-04
IPB80N04S2-04-ND
SP000218154
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S2H4ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S2H4ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2-H4
IPB80N04S2-H4-ND
SP000218165
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2L-03
IPB80N04S2L-03-ND
SP000220158
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S205ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S205ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-05
IPB80N06S2-05-ND
SP000218877
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S207ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S207ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-07
IPB80N06S2-07-ND
SP000218818
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S208ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S208ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-08
IPB80N06S2-08-ND
SP000218830
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S209ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S209ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-09
IPB80N06S2-09-ND
SP000218741
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2H5ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2H5ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-H5
IPB80N06S2-H5-ND
SP000218162
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L05ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L05ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-05
IPB80N06S2L-05-ND
SP000219004
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L06ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L06ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-06
IPB80N06S2L-06-ND
SP000218163
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L07ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L07ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-07
IPB80N06S2L-07-ND
SP000218867
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L09ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L09ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-09
IPB80N06S2L-09-ND
SP000218743
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L11ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L11ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-11
IPB80N06S2L-11-ND
SP000218177
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L-H5
仓库库存编号：
IPB80N06S2L-H5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S3-05
仓库库存编号：
IPB80N06S3-05-ND
别名：SP000102222
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD068N10N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD068N10N3GBTMA1TR-ND
别名：IPD068N10N3 G
IPD068N10N3 G-ND
SP000469892
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD082N10N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD082N10N3GBTMA1TR-ND
别名：IPD082N10N3 G
IPD082N10N3 G-ND
SP000485986
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
974
975
976
977
978
979
980
981
982
983
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
