产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 580mA（Ta） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS209PW L6327
仓库库存编号：
BSS209PW L6327-ND
别名：SP000245422
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS214NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS214NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS214N L6327
BSS214N L6327-ND
SP000440878
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS214NW L6327
仓库库存编号：
BSS214NW L6327-ND
别名：SP000440880
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS306NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS306NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS306N L6327
BSS306N L6327-ND
SP000442400
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS308PEL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS308PEL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS308PE L6327
BSS308PE L6327-ND
SP000442474
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS316NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS316NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS316N L6327
BSS316N L6327-ND
SP000442416
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 540mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS670S2LL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS670S2LL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS670S2L L6327
BSS670S2L L6327-ND
SP000247301
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS7728NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS7728NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS7728N L6327
BSS7728N L6327-ND
SP000247302
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 150mA（Ta） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS84PW L6327
仓库库存编号：
BSS84PW L6327-ND
别名：SP000247312
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 30W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R520CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R520CPXKSA1-ND
别名：IPA60R520CP
IPA60R520CP-ND
SP000405856
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R600CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R600CPXKSA1-ND
别名：IPA60R600CP
IPA60R600CP-ND
SP000405884
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB05CN10N G
仓库库存编号：
IPB05CN10N G-ND
别名：SP000096440
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB06CN10N G
仓库库存编号：
IPB06CN10N G-ND
别名：SP000096446
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB08CN10N G
仓库库存编号：
IPB08CN10N G-ND
别名：SP000096448
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB08CNE8N G
仓库库存编号：
IPB08CNE8N G-ND
别名：SP000096449
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S204ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N04S204ATMA1TR-ND
别名：IPB100N04S2-04
IPB100N04S2-04-ND
SP000219061
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB100N04S2L-03
IPB100N04S2L-03-ND
SP000219065
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S205ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N06S205ATMA1TR-ND
别名：IPB100N06S2-05
IPB100N06S2-05-ND
SP000218874
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S2L05ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N06S2L05ATMA1TR-ND
别名：IPB100N06S2L-05
IPB100N06S2L-05-ND
SP000219003
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB114N03L G
仓库库存编号：
IPB114N03L G-ND
别名：SP000304102
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB12CN10N G
仓库库存编号：
IPB12CN10N G-ND
别名：SP000096450
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB12CNE8N G
仓库库存编号：
IPB12CNE8N G-ND
别名：SP000096451
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Tc） 31W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB147N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPB147N03LGATMA1TR-ND
别名：IPB147N03L G
IPB147N03L G-ND
SP000254712
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N04S203ATMA1
仓库库存编号：
IPB160N04S203ATMA1TR-ND
别名：IPB160N04S2-03
IPB160N04S2-03-ND
SP000218151
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB160N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB160N04S2L-03
IPB160N04S2L-03-ND
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