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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL5620PBF
  仓库库存编号：IRFSL5620PBF-ND
  别名：SP001552384
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU4620PBF
  仓库库存编号：IRFU4620PBF-ND
  别名：SP001573610
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS5620TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS5620TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS5620TRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 45.8A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 45.8A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH1875L,115
  仓库库存编号：PH1875L,115-ND
  别名：934059871115
  PH1875L T/R
  PH1875L T/R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 63A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH9030L,115
  仓库库存编号：PH9030L,115-ND
  别名：934061644115
  PH9030L T/R
  PH9030L T/R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 75A（Tc） 107W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD77NQ03T,118
  仓库库存编号：PHD77NQ03T,118-ND
  别名：934060505118
  PHD77NQ03T /T3
  PHD77NQ03T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 75A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 75A（Tc） 107W（Tc） I-Pak
  
  型号：PHU77NQ03T,127
  仓库库存编号：PHU77NQ03T,127-ND
  别名：934060504127
  PHU77NQ03T
  PHU77NQ03T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 75A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 75A（Tc） 107W（Tc） I-Pak
  
  型号：PHU97NQ03LT,127
  仓库库存编号：PHU97NQ03LT,127-ND
  别名：934061436127
  PHU97NQ03LT
  PHU97NQ03LT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：2N7002 L6327
  仓库库存编号：2N7002 L6327-ND
  别名：2N7002L6327HTSA1
  SP000408440
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.4A（Ta），63A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC152N10NSFGATMA1
  仓库库存编号：BSC152N10NSFGATMA1TR-ND
  别名：BSC152N10NSF G
  BSC152N10NSF G-ND
  SP000379601
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），63A（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF045N03MQ3 G
  仓库库存编号：BSF045N03MQ3 G-ND
  别名：SP000458790
  SP000597844
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET P-CH 100V 0.98A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 980mA（Tc） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP321PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP321PL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSP321P L6327
  BSP321P L6327-ND
  SP000212228
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 1A（Tc） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP322PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP322PL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSP322P L6327
  BSP322P L6327-ND
  SP000212229
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 620mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR315PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSR315PL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSR315P L6327
  BSR315P L6327-ND
  SP000265405
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 360mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR316PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSR316PL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSR316P L6327
  BSR316P L6327-ND
  SP000265407
  
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  MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 140mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR92PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSR92PL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSR92P L6327
  BSR92P L6327-ND
  SP000265408
  
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  MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS126L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS126L6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS126 L6327
  BSS126 L6327-ND
  SP000247303
  
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  MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS126L6906HTSA1
  仓库库存编号：BSS126L6906HTSA1TR-ND
  别名：BSS126 L6906
  BSS126 L6906-ND
  SP000247304
  
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  MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS127L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS127L6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS127 L6327
  BSS127 L6327-ND
  SP000247305
  
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  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS138W L6327
  仓库库存编号：BSS138W L6327-ND
  别名：SP000245411
  
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  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS138W L6433
  仓库库存编号：BSS138W L6433-ND
  别名：SP000245412
  
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  MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 100mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS139L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS139L6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS139 L6327
  BSS139 L6327-ND
  SP000247295
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 100mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS139L6906HTSA1
  仓库库存编号：BSS139L6906HTSA1TR-ND
  别名：BSS139 L6906
  BSS139 L6906-ND
  SP000247296
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS159NL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS159NL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS159N L6327
  BSS159N L6327-ND
  SP000247297
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS169L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS169L6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS169 L6327
  BSS169 L6327-ND
  SP000247299
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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