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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.6A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP318SL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP318SL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP318SL6327
  BSP318SL6327INCT
  BSP318SL6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL540NSTRL
  仓库库存编号：IRL540NSTRLCT-ND
  别名：IRL540NSTRLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  含铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 66A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 66A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH9025L,115
  仓库库存编号：PH9025L,115-ND
  别名：934061158115
  PH9025L T/R
  PH9025L T/R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB119NQ06T,118
  仓库库存编号：PHB119NQ06T,118-ND
  别名：934058551118
  PHB119NQ06T /T3
  PHB119NQ06T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 23A（Tc） 98W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB23NQ10LT,118
  仓库库存编号：PHB23NQ10LT,118-ND
  别名：934055798118
  PHB23NQ10LT /T3
  PHB23NQ10LT /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 41A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3515STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3515STRLPBFCT-ND
  别名：IRF3515STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3704STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3704STRLPBFCT-ND
  别名：IRF3704STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3711STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3711STRLPBFCT-ND
  别名：IRF3711STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7603TRPBF
  仓库库存编号：IRF7603TRPBFCT-ND
  别名：IRF7603TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 8.2A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7663TRPBF
  仓库库存编号：IRF7663TRPBFCT-ND
  别名：IRF7663TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP04CN10NG
  仓库库存编号：IPP04CN10NGIN-ND
  别名：IPP04CN10N G
  IPP04CN10NGIN
  IPP04CN10NGXK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC100N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC100N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC100N03LSGINCT
  BSC100N03LSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD105N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD105N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD105N03LGINCT
  IPD105N03LGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD135N03LGXT
  仓库库存编号：IPD135N03LGXTCT-ND
  别名：IPD135N03LGINCT
  IPD135N03LGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3706CPBF
  仓库库存编号：IRFR3706CPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7534D1PBF
  仓库库存编号：IRF7534D1PBF-ND
  
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  MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.4A（Ta） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120NCPBF
  仓库库存编号：IRFR120NCPBF-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 43A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7807ZCPBF
  仓库库存编号：IRLR7807ZCPBF-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 31A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5305CPBF
  仓库库存编号：IRFR5305CPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7811WCPBF
  仓库库存编号：IRLR7811WCPBF-ND
  
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  MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU4104-701PBF
  仓库库存编号：IRFU4104-701PBF-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 86A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3709Z-701P
  仓库库存编号：IRFU3709Z-701P-ND
  
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  MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR6215CPBF
  仓库库存编号：IRFR6215CPBF-ND
  
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  MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3716SPBF
  仓库库存编号：IRL3716SPBF-ND
  别名：SP001568304
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3410CPBF
  仓库库存编号：IRLR3410CPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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