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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB07N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB07N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB07N60S5INCT
  SPB07N60S5INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB10N10L G
  仓库库存编号：SPB10N10LGINCT-ND
  别名：SPB10N10LG
  SPB10N10LGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB11N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB11N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB11N60S5INCT
  SPB11N60S5INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB20N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB20N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB20N60S5INCT
  SPB20N60S5INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N10L G
  仓库库存编号：SPB80N10LGINCT-ND
  别名：SPB80N10LG
  SPB80N10LGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 800mA（Tc） 11W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD01N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD01N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD01N60C3INCT
  SPD01N60C3INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N60S5BTMA1
  仓库库存编号：SPD02N60S5BTMA1CT-ND
  别名：SPD02N60S5INCT
  SPD02N60S5INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N80C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD02N80C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD02N80C3INCT
  SPD02N80C3INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD03N60S5BTMA1
  仓库库存编号：SPD03N60S5BTMA1CT-ND
  别名：SPD03N60S5INCT
  SPD03N60S5INCT-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N60S5
  仓库库存编号：SPD04N60S5INCT-ND
  别名：SPD04N60S5INCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N80C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD04N80C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD04N80C3INCT
  SPD04N80C3INCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 200V 7A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N20
  仓库库存编号：SPD07N20INCT-ND
  别名：SPD07N20INCT
  
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  MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD08P06PGBTMA1
  仓库库存编号：SPD08P06PGINCT-ND
  别名：SPD08P06PGINCT
  
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  MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18.6A（Tc） 80W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD18P06P
  仓库库存编号：SPD18P06PINCT-ND
  别名：SPD18P06PINCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 78A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 78A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4228PBF
  仓库库存编号：IRFP4228PBF-ND
  别名：SP001575766
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 15A（Ta），59A（Tc） 2.2W（Ta），34W（Tc） DIRECTFET? SQ
  
  型号：IRF6622TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6622TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6622TR1PBFCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.6A（Ta），26A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
  
  型号：IRF6641TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6641TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6641TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 230W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL3307ZPBF
  仓库库存编号：IRFSL3307ZPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 83A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 83A（Tc） 330W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4228PBF
  仓库库存编号：IRFSL4228PBF-ND
  别名：SP001567954
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 83A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 85A（Tc） 350W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4321PBF
  仓库库存编号：IRFSL4321PBF-ND
  别名：SP001550194
  
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• NXP USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.8A（Tc） 2.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN50XP,165
  仓库库存编号：PMN50XP,165-ND
  别名：934058528165
  PMN50XP /T2
  PMN50XP /T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 6.2A（Ta），35A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
  
  型号：IRF6643TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6643TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6643TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），95A（Tc） 2.8W（Ta），62.5W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC042N03S G
  仓库库存编号：BSC042N03SGINCT-ND
  别名：BSC042N03SG
  BSC042N03SGINCT
  
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  MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP149L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP149L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP149L6327
  BSP149L6327INCT
  BSP149L6327INCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R385CPBTMA1
  仓库库存编号：IPD60R385CPBTMA1CT-ND
  别名：IPD60R385CPINCT
  IPD60R385CPINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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