产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO072N03S
仓库库存编号：
BSO072N03SINCT-ND
别名：BSO072N03SINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO119N03S
仓库库存编号：
BSO119N03SINCT-ND
别名：BSO119N03SINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO200N03S
仓库库存编号：
BSO200N03SINCT-ND
别名：BSO200N03SINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.7A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.7A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO300N03S
仓库库存编号：
BSO300N03SINCT-ND
别名：BSO300N03SINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP170PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP170PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP170PL6327
BSP170PL6327INCT
BSP170PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP171PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP171PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP171PL6327
BSP171PL6327INCT
BSP171PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP295L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP295L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP295L6327
BSP295L6327INCT
BSP295L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.1A（Ta） 1.79W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP296L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP296L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP296L6327INCT
BSP296L6327INCT-ND
BSP296XTINCT
BSP296XTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP297L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP297L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP297L6327
BSP297L6327INCT
BSP297L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP315PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP315PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP315PL6327
BSP315PL6327INCT
BSP315PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP316PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP316PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP316PL6327
BSP316PL6327INCT
BSP316PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 430mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP317PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP317PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP317PL6327
BSP317PL6327INCT
BSP317PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP372L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP372L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP372L6327
BSP372L6327INCT
BSP372L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP373L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP373L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP373L6327INCT
BSP373L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP613PL6327HUSA1
仓库库存编号：
BSP613PL6327HUSA1CT-ND
别名：BSP613PL6327
BSP613PL6327INCT
BSP613PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP89L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP89L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP89L6327
BSP89L6327INCT
BSP89L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 260mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP92PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP92PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP92PL6327
BSP92PL6327INCT
BSP92PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS123L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS123L6327HTSA1CT-ND
别名：BSS123L6327
BSS123L6327INCT
BSS123L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS138NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS138NL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS138NL6327
BSS138NL6327INCT
BSS138NL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS138W E6327
仓库库存编号：
BSS138WE6327INCT-ND
别名：BSS138WE6327
BSS138WE6327INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
型号：
BSS192PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS192PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS192PL6327
BSS192PL6327INCT
BSS192PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS7728N
仓库库存编号：
BSS7728NINCT-ND
别名：BSS7728NINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS84PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS84PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS84PL6327
BSS84PL6327INCT
BSS84PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 150mA（Ta） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS84PW
仓库库存编号：
BSS84PWINCT-ND
别名：BSS84PWINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
型号：
BSS87L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS87L6327HTSA1CT-ND
别名：BSS87L6327
BSS87L6327INCT
BSS87L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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