产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.6A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP318S E6327
仓库库存编号:
BSP318S E6327-ND
别名:BSP318SE6327T
SP000011112
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP320S E6327
仓库库存编号:
BSP320S E6327-ND
别名:BSP320SE6327T
SP000011115
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP320S E6433
仓库库存编号:
BSP320S E6433-ND
别名:BSP320SE6433T
SP000011116
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 170mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP324 E6327
仓库库存编号:
BSP324 E6327-ND
别名:BSP324E6327T
SP000011117
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.7A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP372 E6327
仓库库存编号:
BSP372 E6327-ND
别名:BSP372E6327T
SP000011120
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.7A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP373 E6327
仓库库存编号:
BSP373 E6327-ND
别名:BSP373E6327T
SP000011121
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5.2A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP603S2LHUMA1
仓库库存编号:
BSP603S2LHUMA1-ND
别名:BSP603S2L
BSP603S2L-ND
BSP603S2LT
SP000013597
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP613P
仓库库存编号:
BSP613P-ND
别名:BSP613PT
SP000012301
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP615S2L
仓库库存编号:
BSP615S2L-ND
别名:BSP615S2LT
SP000013181
SP000440622
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 350mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP89 E6327
仓库库存编号:
BSP89 E6327-ND
别名:BSP89E6327T
SP000011160
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 260mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP92P E6327
仓库库存编号:
BSP92P E6327-ND
别名:BSP92PE6327T
SP000014253
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS119 E6433
仓库库存编号:
BSS119 E6433-ND
别名:BSS119E6433XT
SP000011164
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS119 E7796
仓库库存编号:
BSS119 E7796-ND
别名:BSS119E7796T
SP000011162
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS119 E7978
仓库库存编号:
BSS119 E7978-ND
别名:BSS119E7978XT
SP000011163
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS123 E6433
仓库库存编号:
BSS123 E6433-ND
别名:BSS123E6433XT
SP000011166
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS123L7874XT
仓库库存编号:
BSS123L7874XTTR-ND
别名:BSS123 E7874
BSS123 E7874-ND
BSS123E7874T
SP000011167
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 21mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS126 E6327
仓库库存编号:
BSS126 E6327-ND
别名:BSS126E6327XT
SP000055447
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 21mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS126 E6906
仓库库存编号:
BSS126 E6906-ND
别名:BSS126E6906XT
SP000055448
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 21mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS127 E6327
仓库库存编号:
BSS127 E6327-ND
别名:BSS127 E6327
BSS127 E6327-ND
BSS127E6327XT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138N E6433
仓库库存编号:
BSS138N E6433-ND
别名:BSS138NE6433XT
SP000014561
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138N E6908
仓库库存编号:
BSS138N E6908-ND
别名:BSS138NE6908T
SP000014564
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138N E7854
仓库库存编号:
BSS138N E7854-ND
别名:BSS138NE7854XT
SP000014562
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138N E8004
仓库库存编号:
BSS138N E8004-ND
别名:BSS138NE8004XT
SP000014563
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 280mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS138W E6433
仓库库存编号:
BSS138W E6433-ND
别名:BSS138WE6433
SP000014284
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139 E6327
仓库库存编号:
BSS139 E6327-ND
别名:BSS139E6327XT
SP000011170
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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