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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD05N03LA G
  仓库库存编号：IPD05N03LAGINTR-ND
  别名：IPD05N03LA
  IPD05N03LAG
  IPD05N03LAGINTR
  IPD05N03LAGXT
  IPD05N03LAGXT-ND
  IPD05N03LAINTR
  IPD05N03LAINTR-ND
  SP000017599
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD06N03LA G
  仓库库存编号：IPD06N03LAGINCT-ND
  别名：IPD06N03LAGINCT
  IPD06N03LAGXTINCT
  IPD06N03LAGXTINCT-ND
  IPD06N03LAINCT
  IPD06N03LAINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD09N03LA G
  仓库库存编号：IPD09N03LAGINCT-ND
  别名：IPD09N03LAGINCT
  IPD09N03LAGXTINCT
  IPD09N03LAGXTINCT-ND
  IPD09N03LAINCT
  IPD09N03LAINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD13N03LA G
  仓库库存编号：IPD13N03LAGINCT-ND
  别名：IPD13N03LAG
  IPD13N03LAGINCT
  IPD13N03LAGXTINCT
  IPD13N03LAGXTINCT-ND
  IPD13N03LAINCT
  IPD13N03LAINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 94W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：IPF05N03LA G
  仓库库存编号：IPF05N03LAGINCT-ND
  别名：IPF05N03LAG
  IPF05N03LAGINCT
  IPF05N03LAGXTINCT
  IPF05N03LAGXTINCT-ND
  IPF05N03LAINCT
  IPF05N03LAINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB02N60C3ATMA1
  仓库库存编号：SPB02N60C3ATMA1TR-ND
  别名：SP000013516
  SPB02N60C3
  SPB02N60C3INTR
  SPB02N60C3INTR-ND
  SPB02N60C3XT
  SPB02N60C3XT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 3.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB03N60C3ATMA1
  仓库库存编号：SPB03N60C3ATMA1CT-ND
  别名：SPB03N60C3INCT
  SPB03N60C3INCT-ND
  SPB03N60C3XTINCT
  SPB03N60C3XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S2-03
  仓库库存编号：SPB100N03S203INTR-ND
  别名：SPB100N03S203INTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S2L-03
  仓库库存编号：SPB100N03S2L-INTR-ND
  别名：SPB100N03S2L-INTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB21N10
  仓库库存编号：SPB21N10INCT-ND
  别名：SPB21N10INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB35N10
  仓库库存编号：SPB35N10INTR-ND
  别名：SPB35N10INTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD35N10
  仓库库存编号：SPD35N10INCT-ND
  别名：SPD35N10INCT
  SPD35N10XTINCT
  SPD35N10XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB73N03S2L-08
  仓库库存编号：SPB73N03S2L08INTR-ND
  别名：SPB73N03S2L08INTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-05
  仓库库存编号：SPB80N03S2L05INTR-ND
  别名：SPB80N03S2L05INTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-06
  仓库库存编号：SPB80N03S2L06INCT-ND
  别名：SPB80N03S2L06INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N50C3
  仓库库存编号：SPD02N50C3INTR-ND
  别名：SP000014476
  SPD02N50C3INTR
  SPD02N50C3XT
  SPD02N50C3XT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD02N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD02N60C3INCT
  SPD02N60C3INCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD04N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD04N60C3INCT
  SPD04N60C3INCT-ND
  SPD04N60C3XTINCT
  SPD04N60C3XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Ta） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD06N80C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD06N80C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD06N80C3INCT
  SPD06N80C3INCT-ND
  SPD06N80C3XTINCT
  SPD06N80C3XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD07N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD07N60C3INCT
  SPD07N60C3INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD09P06PL
  仓库库存编号：SPD09P06PLINCT-ND
  别名：SPD09P06PLINCT
  SPD09P06PLXTINCT
  SPD09P06PLXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-5
  
  型号：SPD100N03S2L-04
  仓库库存编号：SPD100N03S2L-INTR-ND
  别名：SPD100N03S2L-INTR
  
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  MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.5A（Tc） 50W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD11N10
  仓库库存编号：SPD11N10INTR-ND
  别名：SP000013847
  SPD11N10INTR
  SPD11N10XT
  SPD11N10XT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L-07
  仓库库存编号：SPD30N03S2L07INCT-ND
  别名：SPD30N03S2L07
  SPD30N03S2L07INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L-10
  仓库库存编号：SPD30N03S2L10INCT-ND
  别名：SPD30N03S2L10
  SPD30N03S2L10INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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