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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL207SP
  仓库库存编号：BSL207SPINCT-ND
  别名：BSL207SPINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.7A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
  
  型号：BSL211SP
  仓库库存编号：BSL211SPINCT-ND
  别名：BSL211SPINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.5A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
  
  型号：BSL307SP
  仓库库存编号：BSL307SPINTR-ND
  别名：BSL307SPINTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 14.9A（Ta） 2.5W（Ta） P-DSO-8
  
  型号：BSO201SPNTMA1
  仓库库存编号：BSO201SPINCT-ND
  别名：BSO201SPINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 9A（Ta） 2.35W（Ta） P-DSO-8
  
  型号：BSO203SPNTMA1
  仓库库存编号：BSO203SPNTMA1CT-ND
  别名：BSO203SPINCT
  BSO203SPINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12.6A（Ta） 2.5W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO301SPNTMA1
  仓库库存编号：BSO301SPNTMA1CT-ND
  别名：BSO301SPINCT
  BSO301SPINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8.9A（Ta） 2.35W（Ta） P-DSO-8
  
  型号：BSO303SPNTMA1
  仓库库存编号：BSO303SPINCT-ND
  别名：BSO303SPINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO4410
  仓库库存编号：BSO4410INCT-ND
  别名：BSO4410INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO4420
  仓库库存编号：BSO4420INCT-ND
  别名：BSO4420INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO4822
  仓库库存编号：BSO4822INCT-ND
  别名：BSO4822INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP170PE6327
  仓库库存编号：BSP170PE6327INCT-ND
  别名：BSP170PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP171PE6327
  仓库库存编号：BSP171PE6327INCT-ND
  别名：BSP171PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP316PE6327
  仓库库存编号：BSP316PE6327INCT-ND
  别名：BSP316PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 430mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP317PE6327
  仓库库存编号：BSP317PE6327INCT-ND
  别名：BSP317PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS192PE6327
  仓库库存编号：BSS192PE6327INCT-ND
  别名：BSS192PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 580mA（Ta） 520mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS209PW
  仓库库存编号：BSS209PWINCT-ND
  别名：BSS209PWINCT
  BSS209PWXTINCT
  BSS209PWXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 390mA（Ta） 250mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS223PW L6327
  仓库库存编号：BSS223PWINCT-ND
  别名：BSS223PWINCT
  BSS223PWXTINCT
  BSS223PWXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 540mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS670S2L
  仓库库存编号：BSS670S2LINCT-ND
  别名：BSS670S2LINCT
  BSS670S2LXTINCT
  BSS670S2LXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS83PE6327
  仓库库存编号：BSS83PE6327INCT-ND
  别名：BSS83PE6327INCT
  BSS83PE6327XTINCT
  BSS83PE6327XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.5A（Ta） 560mW（Ta） PG-SOT363-6
  
  型号：BSV236SP L6327
  仓库库存编号：BSV236SPINCT-ND
  别名：BSV236SPINCT
  BSV236SPXTINCT
  BSV236SPXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB05N03LA
  仓库库存编号：IPB05N03LAINCT-ND
  别名：IPB05N03LAINCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB06N03LA
  仓库库存编号：IPB06N03LAINCT-ND
  别名：IPB06N03LAINCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB09N03LA
  仓库库存编号：IPB09N03LAINTR-ND
  别名：IPB09N03LAINTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB14N03LA
  仓库库存编号：IPB14N03LAINTR-ND
  别名：IPB14N03LAINTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD04N03LA G
  仓库库存编号：IPD04N03LAGINCT-ND
  别名：IPD04N03LAGINCT
  IPD04N03LAINCT
  IPD04N03LAINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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