产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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分立半导体产品
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 1.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF3000
仓库库存编号:
IRF3000-ND
别名:*IRF3000
Q1439458
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 174A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1302S
仓库库存编号:
IRF1302S-ND
别名:*IRF1302S
Q1432949
SP001569922
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF2804
仓库库存编号:
IRF2804-ND
别名:*IRF2804
SP001569996
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 65A(Tc) 75W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU7821
仓库库存编号:
IRLU7821-ND
别名:*IRLU7821
Q1500049
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7821TR
仓库库存编号:
IRF7821TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 56A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3707Z
仓库库存编号:
IRFR3707Z-ND
别名:*IRFR3707Z
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7833TR
仓库库存编号:
IRLR7833TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7833TRL
仓库库存编号:
IRLR7833TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7833TRR
仓库库存编号:
IRLR7833TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 94A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8113
仓库库存编号:
IRLR8113-ND
别名:*IRLR8113
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 94A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8113TR
仓库库存编号:
IRLR8113TR-ND
别名:SP001558970
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7492TR
仓库库存编号:
IRF7492TRTR-ND
别名:IRF7492TRTR
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7492
仓库库存编号:
IRF7492-ND
别名:*IRF7492
SP001559928
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI100N03S2L-03
仓库库存编号:
SPI100N03S2L-03-ND
别名:Q1620887
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 5.2A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7494TR
仓库库存编号:
IRF7494TRCT-ND
别名:*IRF7494TR
IRF7494TRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-251
详细描述:通孔 P 沟道 60V 9.7A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU09P06PL
仓库库存编号:
SPU09P06PLIN-ND
别名:SP000012876
SPU09P06PLIN
SPU09P06PLX
SPU09P06PLXTIN
SPU09P06PLXTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 25V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI04N03LA
仓库库存编号:
IPI04N03LAIN-ND
别名:IPI04N03LAIN
IPI04N03LAX
IPI04N03LAX-ND
SP000014355
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP35N10
仓库库存编号:
SPP35N10IN-ND
别名:SP000013851
SPP35N10IN
SPP35N10X
SPP35N10XTIN
SPP35N10XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
SPA11N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA11N60C3IN-ND
别名:SP000013664
SPA11N60C3
SPA11N60C3IN
SPA11N60C3X
SPA11N60C3XTIN
SPA11N60C3XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 21A(Tc) 90W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP21N10
仓库库存编号:
SPP21N10IN-ND
别名:SP000013842
SPP21N10IN
SPP21N10X
SPP21N10XTIN
SPP21N10XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP42N03S2L-13
仓库库存编号:
SPP42N03S2L-13IN-ND
别名:SPP42N03S2L-13IN
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 73A(Tc) 107W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP73N03S2L08XK
仓库库存编号:
SPP73N03S2L08XK-ND
别名:SP000013465
SPP73N03S2L-08
SPP73N03S2L-08IN
SPP73N03S2L-08IN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 80A(Tc) 340W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP80P06PBKSA1
仓库库存编号:
SPP80P06PBKSA1-ND
别名:SP000012840
SPP80P06P
SPP80P06PIN
SPP80P06PIN-ND
SPP80P06PX
SPP80P06PXK
SPP80P06PXTIN
SPP80P06PXTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251
详细描述:通孔 P 沟道 60V 8.83A(Ta) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU08P06P
仓库库存编号:
SPU08P06PIN-ND
别名:SP000012086
SPU08P06PIN
SPU08P06PX
SPU08P06PXTIN
SPU08P06PXTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 82W(Tc) P-TO251-3
型号:
SPU30N03S2L-10
仓库库存编号:
SPU30N03S2L-10IN-ND
别名:SP000013467
SPU30N03S2L-10IN
SPU30N03S2L-10XTIN
SPU30N03S2L-10XTIN-ND
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