产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(25202)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(25202)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(1099)
Central Semiconductor Corp(51)
Comchip Technology(2)
Cree/Wolfspeed(1)
Diodes Incorporated(1149)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(3)
Fairchild/ON Semiconductor(2994)
Global Power Technologies Group(133)
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors(4)
Infineon Technologies(5420)
IXYS(1981)
IXYS Integrated Circuits Division(19)
Micro Commercial Co(37)
Microchip Technology(184)
Microsemi Corporation(561)
Nexperia USA Inc.(1005)
NXP USA Inc.(454)
ON Semiconductor(1930)
Panasonic Electronic Components(91)
Renesas Electronics America(339)
Rohm Semiconductor(576)
Sanken(101)
STMicroelectronics(2107)
Taiwan Semiconductor Corporation(543)
Texas Instruments(204)
Torex Semiconductor Ltd(13)
Toshiba Semiconductor and Storage(676)
TT Electronics/Optek Technology(3)
Vicor Corporation(1)
Vishay Semiconductor Diodes Division(11)
Vishay Siliconix(3509)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS119E6327
仓库库存编号：
BSS119INCT-ND
别名：BSS119INCT
BSS119XTINCT
BSS119XTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 370mA（Ta） 1.79W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP123L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP123L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP123INCT
BSP123INCT-ND
BSP123L6327INCT
BSP123L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP129E6327
仓库库存编号：
BSP129INCT-ND
别名：BSP129INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP295E6327
仓库库存编号：
BSP295INCT-ND
别名：BSP295INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.1A（Ta） 1.79W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP296E6327
仓库库存编号：
BSP296INCT-ND
别名：BSP296INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP315P-E6327
仓库库存编号：
BSP315PINCT-ND
别名：BSP315PE6327
BSP315PINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.7W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP88E6327
仓库库存编号：
BSP88INCT-ND
别名：BSP88INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS123E6327
仓库库存编号：
BSS123INCT-ND
别名：BSS123INCT
BSS123XTINCT
BSS123XTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 110mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS131E6327
仓库库存编号：
BSS131INCT-ND
别名：BSS131INCT
BSS131XTINCT
BSS131XTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS138N-E6327
仓库库存编号：
BSS138NEINCT-ND
别名：BSS138INCT
BSS138INCT-ND
BSS138NE6327
BSS138NEINCT
BSS138NEXTINCT
BSS138NEXTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS84P-E6327
仓库库存编号：
BSS84PINCT-ND
别名：BSS84PE6327
BSS84PINCT
BSS84PXTINCT
BSS84PXTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89-4-2
型号：
BSS87E6327
仓库库存编号：
BSS87INCT-ND
别名：BSS87INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD07N60S5
仓库库存编号：
SPD07N60S5INCT-ND
别名：SPD07N60S5INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 140A（Tc） 140W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU7833
仓库库存编号：
IRLU7833-ND
别名：*IRLU7833
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 26A（Ta），85A（Tc） 3.6W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MT
型号：
IRF6601
仓库库存编号：
IRF6601CT-ND
别名：IRF6601CT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 11A（Ta），48A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MQ
型号：
IRF6602
仓库库存编号：
IRF6602CT-ND
别名：IRF6602CT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），92A（Tc） 3.6W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MT
型号：
IRF6603
仓库库存编号：
IRF6603CT-ND
别名：*IRF6603
IRF6603CT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta），49A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MQ
型号：
94-3250
仓库库存编号：
94-3250CT-ND
别名：*IRF6604
IRF6604CT
IRF6604CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），94A（Tc） 3.6W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MT
型号：
IRF6607
仓库库存编号：
IRF6607CT-ND
别名：*IRF6607
IRF6607CT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 2.6A（Ta） 2.8W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL4315
仓库库存编号：
IRFL4315-ND
别名：*IRFL4315
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 50V 15.5A（Tc） 50W（Tc） P-TO220AB
型号：
BTS115ANKSA1
仓库库存编号：
BTS115ANKSA1-ND
别名：BTS115A
BTS115AIN
BTS115AIN-ND
SP000011193
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 22A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BTS121ANKSA1
仓库库存编号：
BTS121ANKSA1-ND
别名：BTS121A
BTS121AIN
BTS121AIN-ND
SP000011200
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 49V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-7-180
型号：
BTS282Z E3180A
仓库库存编号：
BTS282ZE3180AINCT-ND
别名：BTS282ZE3180AINCT
BTS282ZE3180ATINCT
BTS282ZE3180ATINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 174A（Tc） 330W（Tc） SUPER-220?（TO-273AA）
型号：
IRFBA1405P
仓库库存编号：
IRFBA1405P-ND
别名：*IRFBA1405P
Q1429145
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 31A（Tc） 3W（Ta），110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3410
仓库库存编号：
IRFU3410-ND
别名：*IRFU3410
Q1434118
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
搜索
913
914
915
916
917
918
919
920
921
922
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
