产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.6A(Ta) 90W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM6N50CP ROG
仓库库存编号:
TSM6N50CP ROGCT-ND
别名:TSM6N50CP ROGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.6A(Ta) 90W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM6N50CP ROG
仓库库存编号:
TSM6N50CP ROGDKR-ND
别名:TSM6N50CP ROGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6A(Tc) 89W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM6N60CH C5G
仓库库存编号:
TSM6N60CH C5G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6A(Tc) 89W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM6N60CP ROG
仓库库存编号:
TSM6N60CP ROGTR-ND
别名:TSM6N60CP ROGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6A(Tc) 89W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM6N60CP ROG
仓库库存编号:
TSM6N60CP ROGCT-ND
别名:TSM6N60CP ROGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6A(Tc) 89W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM6N60CP ROG
仓库库存编号:
TSM6N60CP ROGDKR-ND
别名:TSM6N60CP ROGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6A(Tc) 40W(Tc) TO-220
型号:
TSM6NB60CZ C0G
仓库库存编号:
TSM6NB60CZ C0G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7A(Tc) 40W(Tc) ITO-220
型号:
TSM7N65ACI C0G
仓库库存编号:
TSM7N65ACI C0G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 7.2A(Tc) 89W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM8N50CH C5G
仓库库存编号:
TSM8N50CH C5G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 7.2A(Tc) 89W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM8N50CP ROG
仓库库存编号:
TSM8N50CP ROGTR-ND
别名:TSM8N50CP ROGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 7.2A(Tc) 89W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM8N50CP ROG
仓库库存编号:
TSM8N50CP ROGCT-ND
别名:TSM8N50CP ROGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 7.2A(Tc) 89W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM8N50CP ROG
仓库库存编号:
TSM8N50CP ROGDKR-ND
别名:TSM8N50CP ROGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 700V 8A(Tc) 40W(Tc) ITO-220
型号:
TSM8N70CI C0G
仓库库存编号:
TSM8N70CI C0G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 13.5A 1.2W 8-SO
型号:
FDS4465_SN00187
仓库库存编号:
FDS4465_SN00187-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A 1.2W 8-SO
型号:
FDS6298_G
仓库库存编号:
FDS6298_G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH SSOT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.3A 800mW SuperSOT?-6
型号:
FDC655BN_NBNN007
仓库库存编号:
FDC655BN_NBNN007-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A 417W TO-3PN
型号:
FCA47N60F_SN00171
仓库库存编号:
FCA47N60F_SN00171-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.3A(Ta) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7204TR
仓库库存编号:
IRF7204CT-ND
别名:*IRF7204TR
IRF7204CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.3A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7201
仓库库存编号:
IRF7201-ND
别名:*IRF7201
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.5A(Tc) 1.6W(Ta),2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7202TR
仓库库存编号:
IRF7202CT-ND
别名:IRF7202
IRF7202CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520N
仓库库存编号:
IRF520N-ND
别名:*IRF520N
SP001571320
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 116A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
94-2304
仓库库存编号:
94-2304-ND
别名:*IRL2203N
IRL2203N
IRL2203N-ND
SP001521934
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 140A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3803
仓库库存编号:
IRL3803-ND
别名:*IRL3803
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 55V 53A(Tc) 120W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP044N
仓库库存编号:
IRFP044N-ND
别名:*IRFP044N
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 55V 81A(Tc) 170W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP054N
仓库库存编号:
IRFP054N-ND
别名:*IRFP054N
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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