产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 1.8W(Ta) 8-SOP
型号:
RJK0355DSP-01#J0
仓库库存编号:
RJK0355DSP-01#J0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO92
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.4A(Ta) 30W(Tc) MP-3A
型号:
RJK5002DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK5002DPD-00#J2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Ta) 150W(Tc) TO-3P
型号:
RJK6014DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK6014DPK-00#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.4A(Ta) 1.5W(Ta) UPAK
型号:
RQK0607AQDQS#H1
仓库库存编号:
RQK0607AQDQS#H1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FI
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 2W(Ta),30W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
2SK4196LS-1E
仓库库存编号:
2SK4196LS-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 10A WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 10A(Ta) 25W(Tc) 8-WPAK
型号:
HAT2192WP-EL-E
仓库库存编号:
HAT2192WP-EL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 85A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK0629DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK0629DPE-00#J3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 100mA(Ta) 150mW(Ta) SMCP
型号:
3LP01S-TL-E
仓库库存编号:
3LP01S-TL-EOSCT-ND
别名:3LP01S-TL-EOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 400mA(Tc) 2.5W(Tc) SOT-223(TO-261)
型号:
NDT01N60T1G
仓库库存编号:
NDT01N60T1GOSCT-ND
别名:NDT01N60T1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.4A(Ta) 600mW(Ta) 6-UDFN(1.6x1.6)
型号:
NTLUS3A39PZCTAG
仓库库存编号:
NTLUS3A39PZCTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.4A(Ta) 600mW(Ta) 6-UDFN(1.6x1.6)
型号:
NTLUS3A39PZCTBG
仓库库存编号:
NTLUS3A39PZCTBG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.6A(Ta) 600mW(Ta) 6-UDFN(1.6x1.6)
型号:
NTLUS3A90PZCTAG
仓库库存编号:
NTLUS3A90PZCTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.6A(Ta) 600mW(Ta) 6-UDFN(1.6x1.6)
型号:
NTLUS3A90PZCTBG
仓库库存编号:
NTLUS3A90PZCTBG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.6A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3421L
仓库库存编号:
AO3421L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4202L
仓库库存编号:
AO4202L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4403L
仓库库存编号:
AO4403L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.5A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4404BL
仓库库存编号:
AO4404BL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 6A
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4405L
仓库库存编号:
AO4405L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12A(Ta) 3.1W(Ta)
型号:
AO4407B
仓库库存编号:
AO4407B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12A(Ta) 3.1W(Ta)
型号:
AO4407BL
仓库库存编号:
AO4407BL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4407L
仓库库存编号:
AO4407L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4411L
仓库库存编号:
AO4411L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 15A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4413L
仓库库存编号:
AO4413L-ND
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.7A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4419_003
仓库库存编号:
AO4419_003-ND
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MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.7A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
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AO4419L
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