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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 88A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.7A（Ta），95A（Tc） 1.41W（Ta），79W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4805NT4G
  仓库库存编号：NVD4805NT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta），63A（Tc） 1.4W（Ta），54.6W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4808NT4G
  仓库库存编号：NVD4808NT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4809NHT4G
  仓库库存编号：NVD4809NHT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.6A（Ta），58A（Tc） 1.4W（Ta），52W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4809NT4G
  仓库库存编号：NVD4809NT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.6A（Ta），40A（Tc） 1.27W（Ta），35.3W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4813NHT4G
  仓库库存编号：NVD4813NHT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 26A TO3P3L
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 26A（Ta） 2.5W（Ta），220W（Tc） TO-3P-3L
  
  型号：WPB4001-1E
  仓库库存编号：WPB4001-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Ta） 2.5W（Ta），220W（Tc） TO-3P-3L
  
  型号：WPB4002-1E
  仓库库存编号：WPB4002-1E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 75V 10A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 2.5A（Ta），10A（Tc） 2.1W（Ta），28.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD474B
  仓库库存编号：AOD474B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI4T60
  仓库库存编号：AOI4T60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 4A DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
  
  型号：AON2707
  仓库库存编号：AON2707-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 463W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW20C60
  仓库库存编号：AOW20C60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 6A CPH6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 6A（Ta） 1.6W（Ta） 6-CPH
  
  型号：CPH6442-TL-E
  仓库库存编号：CPH6442-TL-EOSCT-ND
  别名：CPH6442-TL-EOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 38A（Tc） 500W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FA38SA50LCP
  仓库库存编号：VS-FA38SA50LCP-ND
  别名：VSFA38SA50LCP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 180A（Tc） 480W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FB180SA10P
  仓库库存编号：VS-FB180SA10P-ND
  别名：VSFB180SA10P
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB12T60PL
  仓库库存编号：785-1700-1-ND
  别名：785-1700-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 4.5A（Ta） 600mW（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RAQ045P01TCR
  仓库库存编号：RAQ045P01TCRCT-ND
  别名：RAQ045P01TCRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M003A040CG
  仓库库存编号：GP1M003A040CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 2A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A040PG
  仓库库存编号：GP1M003A040PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 52W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M003A050CG
  仓库库存编号：GP1M003A050CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 52.1W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M003A050HG
  仓库库存编号：GP1M003A050HG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 52W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A050PG
  仓库库存编号：GP1M003A050PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M003A080H
  仓库库存编号：GP1M003A080H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A080PH
  仓库库存编号：GP1M003A080PH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4A（Tc） 38.7W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M004A090FH
  仓库库存编号：GP1M004A090FH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4A（Tc） 123W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M004A090H
  仓库库存编号：GP1M004A090H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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