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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.2A（Ta） 1.25W（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K01T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3K01T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3K01T(TE85LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 3A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K302T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3K302T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3K302T(TE85LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.7A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K309T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3K309T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3K309T(TE85LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.5A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K318T,LF
  仓库库存编号：SSM3K318TLFCT-ND
  别名：SSM3K318TLFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 38A（Tc） 278W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT38N60SC6
  仓库库存编号：APT38N60SC6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 35A（Tc） 403W（Tc） TO-247
  
  型号：APT5014SLLG/TR
  仓库库存编号：APT5014SLLG/TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 18A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT12067B2LLG
  仓库库存编号：APT12067B2LLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 17A（Tc） 460W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT12067JLL
  仓库库存编号：APT12067JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 19A（Tc） 520W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT12057JLL
  仓库库存编号：APT12057JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 19A（Tc） 500W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT18M80S
  仓库库存编号：APT18M80S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JAN2N6756
  仓库库存编号：JAN2N6756-ND
  别名：JAN2N6756-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JAN2N6758
  仓库库存编号：JAN2N6758-ND
  别名：JAN2N6758-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JAN2N6760
  仓库库存编号：JAN2N6760-ND
  别名：JAN2N6760-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JAN2N6762
  仓库库存编号：JAN2N6762-ND
  别名：JAN2N6762-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc）
  
  型号：JAN2N6764
  仓库库存编号：JAN2N6764-ND
  别名：JAN2N6764-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JAN2N6764T1
  仓库库存编号：JAN2N6764T1-ND
  别名：JAN2N6764T1-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
  
  型号：JAN2N6766
  仓库库存编号：JAN2N6766-ND
  别名：JAN2N6766-MIL
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JAN2N6766T1
  仓库库存编号：JAN2N6766T1-ND
  别名：JAN2N6766T1-MIL
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc）
  
  型号：JAN2N6768
  仓库库存编号：JAN2N6768-ND
  别名：JAN2N6768-MIL
  
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  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JAN2N6768T1
  仓库库存编号：JAN2N6768T1-ND
  别名：JAN2N6768T1-MIL
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-204AE（TO-3）
  
  型号：JAN2N6770
  仓库库存编号：JAN2N6770-ND
  别名：JAN2N6770-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JAN2N6770T1
  仓库库存编号：JAN2N6770T1-ND
  别名：JAN2N6770T1-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 3.5A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） TO-39
  
  型号：JAN2N6782
  仓库库存编号：JAN2N6782-ND
  别名：JAN2N6782-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 18-LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.5A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JAN2N6782U
  仓库库存编号：JAN2N6782U-ND
  别名：JAN2N6782U-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） TO-39
  
  型号：JAN2N6784
  仓库库存编号：JAN2N6784-ND
  别名：JAN2N6784-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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