产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 21A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 21A（Tc） 192W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R165CPAKSA1
仓库库存编号：
IPI60R165CPAKSA1-ND
别名：IPI60R165CP
IPI60R165CP-ND
SP000276736
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 202A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 160A（Tc） 333W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRF1404
仓库库存编号：
AUIRF1404-ND
别名：SP001522606
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 17A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 550V 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R199CPFKSA1
仓库库存编号：
IPW50R199CPFKSA1-ND
别名：IPW50R199CP
IPW50R199CP-ND
SP000236096
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 160A（Tc） 290W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRF2903Z
仓库库存编号：
AUIRF2903Z-ND
别名：SP001519238
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 375A（Tc） 4.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
型号：
AUIRF7799L2TR
仓库库存编号：
AUIRF7799L2TR-ND
别名：SP001522796
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N15N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302N15N3X1SA1-ND
别名：SP000875892
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A HEXFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 160A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
AUIRF3805S-7TRL
仓库库存编号：
AUIRF3805S-7TRL-ND
别名：SP001516538
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC300N15N3RX1SA2
仓库库存编号：
IPC300N15N3RX1SA2-ND
别名：SP001049344
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRF2805
仓库库存编号：
AUIRF2805-ND
别名：SP001517278
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N10S403AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N10S403AKSA1-ND
别名：SP001102564
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 550V 23A（Tc） 192W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R140CPHKSA1
仓库库存编号：
IPP50R140CPHKSA1-ND
别名：IPP50R140CP
IPP50R140CP-ND
SP000234986
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP034N08N5AKSA1
仓库库存编号：
IPP034N08N5AKSA1-ND
别名：SP001227046
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW11N60CFDFKSA1
仓库库存编号：
SPW11N60CFDFKSA1-ND
别名：SP000014534
SPW11N60CFD
SPW11N60CFD-ND
SPW11N60CFDIN
SPW11N60CFDIN-ND
SPW11N60CFDX
SPW11N60CFDXK
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13A（Tc） 72W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R190C7XKSA1
仓库库存编号：
IPW65R190C7XKSA1-ND
别名：SP001080142
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 105A（Tc） 179W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB083N15N5LFATMA1
仓库库存编号：
IPB083N15N5LFATMA1-ND
别名：SP001503862
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 160A（Tc） 300W（Tc） TO-262
型号：
AUIRF3805L
仓库库存编号：
AUIRF3805L-ND
别名：SP001522082
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRFB3207
仓库库存编号：
AUIRFB3207-ND
别名：SP001519144
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R190C6FKSA1
仓库库存编号：
IPW65R190C6FKSA1-ND
别名：IPW65R190C6
IPW65R190C6-ND
SP000863902
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R190E6FKSA1
仓库库存编号：
IPW65R190E6FKSA1-ND
别名：IPW65R190E6
IPW65R190E6-ND
SP000863906
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 545A AUTO
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 57A（Ta），545A（Tc） 3.8W（Ta），340W（Tc） DIRECTFET L8
型号：
AUIRF8739L2TR
仓库库存编号：
AUIRF8739L2TR-ND
别名：SP001516480
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI20N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI20N60C3XKSA1-ND
别名：SP000681006
SPI20N60C3
SPI20N60C3-ND
SPI20N60C3IN
SPI20N60C3IN-ND
SPI20N60C3X
SPI20N60C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 180A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
AUIRF2907ZS7PTL
仓库库存编号：
AUIRF2907ZS7PTL-ND
别名：SP001516558
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N12N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302N12N3X1SA1-ND
别名：SP000717450
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 166A（Tc） 187W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB032N10N5ATMA1
仓库库存编号：
IPB032N10N5ATMA1-ND
别名：SP001607808
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R150CFDFKSA1
仓库库存编号：
IPW65R150CFDFKSA1-ND
别名：SP000907038
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