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产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,

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分立半导体产品 (25202)

晶体管 - FET，MOSFET - 单 (25202)

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3

型号：IPW60R280E6
仓库库存编号：IPW60R280E6-ND
别名：IPW60R280E6FKSA1
SP000797382

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3

型号：IPW50R299CPFKSA1
仓库库存编号：IPW50R299CPFKSA1-ND
别名：IPW50R299CP
IPW50R299CP-ND
SP000301163

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 160A（Tc） 200W（Tc） TO-220

型号：AUIRL1404Z
仓库库存编号：AUIRL1404Z-ND
别名：SP001516820

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 160A（Tc） 200W（Tc） TO-262

型号：AUIRL1404ZL
仓库库存编号：AUIRL1404ZL-ND
别名：SP001521256

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 278W（Tc） PG-TO262-3-1

型号：IPI120N08S403AKSA1
仓库库存编号：IPI120N08S403AKSA1-ND
别名：SP000989108

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-3

型号：SPA15N65C3XKSA1
仓库库存编号：SPA15N65C3XKSA1-ND
别名：SP000293730
SPA15N65C3
SPA15N65C3-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3

型号：IPP05CN10NGXKSA1
仓库库存编号：IPP05CN10NGXKSA1-ND
别名：IPP05CN10N G
IPP05CN10N G-ND
IPP05CN10NG
IPP05CN10NGIN
IPP05CN10NGIN-ND
IPP05CN10NGX
IPP05CN10NGXK
SP000680814

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3-1

型号：SPI15N65C3XKSA1
仓库库存编号：SPI15N65C3XKSA1-ND
别名：SP000681002
SPI15N65C3
SPI15N65C3-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 560V 21A（Tc） 34.5W（Tc） PG-TO220-FP

型号：SPA21N50C3
仓库库存编号：SPA21N50C3IN-ND
别名：SP000216364
SPA21N50C3IN
SPA21N50C3X
SPA21N50C3XK
SPA21N50C3XKSA1
SPA21N50C3XTIN
SPA21N50C3XTIN-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 195A（Tc） 375W（Tc） D2PAK

型号：IRFSL7430PBF
仓库库存编号：IRFSL7430PBF-ND
别名：SP001557608

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-262

型号：AUIRFSL4310
仓库库存编号：AUIRFSL4310-ND
别名：Q10661606
SP001516116

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3

型号：IPW65R280C6FKSA1
仓库库存编号：IPW65R280C6FKSA1-ND
别名：IPW65R280C6
IPW65R280C6-ND
SP000785060

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 560V 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1

型号：SPI21N50C3XKSA1
仓库库存编号：SPI21N50C3XKSA1-ND
别名：SP000681012
SPI21N50C3
SPI21N50C3-ND
SPI21N50C3X
SPI21N50C3XK

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 1A（Tj）带箔切割晶片

型号：IPC302N08N3X1SA1
仓库库存编号：IPC302N08N3X1SA1-ND
别名：SP000476912

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 1A（Tj）带箔切割晶片

型号：IPC302NE7N3X1SA1
仓库库存编号：IPC302NE7N3X1SA1-ND
别名：SP000840426

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 160A（Tc） 231W（Tc） D2PAK

型号：AUIRF2903ZSTRL
仓库库存编号：AUIRF2903ZSTRL-ND
别名：SP001521122

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Tj）带箔切割晶片

型号：IPC302N10N3X1SA1
仓库库存编号：IPC302N10N3X1SA1-ND
别名：SP000476916

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 202A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK

型号：AUIRF1404STRL
仓库库存编号：AUIRF1404STRL-ND
别名：SP001517298

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D-PAK（TO-252AA）

型号：AUIRL1404STRL
仓库库存编号：AUIRL1404STRL-ND
别名：SP001522830

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.4A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-FP

型号：SPA15N60CFDXKSA1
仓库库存编号：SPA15N60CFDXKSA1-ND
别名：SP000264432
SPA15N60CFD
SPA15N60CFD-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB

型号：AUIRF1405
仓库库存编号：AUIRF1405-ND
别名：SP001519124

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 195A（Tc） 300W（Tc） D2PAK

型号：AUIRF2804STRL
仓库库存编号：AUIRF2804STRL-ND
别名：SP001521004

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3

型号：IPP027N08N5AKSA1
仓库库存编号：IPP027N08N5AKSA1-ND
别名：SP001132484

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-1

型号：IPI120N10S403AKSA1
仓库库存编号：IPI120N10S403AKSA1-ND
别名：SP001102584

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 74A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 55V 42A（Tc） 200W（Tc） TO-262

型号：AUIRF4905L
仓库库存编号：AUIRF4905L-ND
别名：SP001521094

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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