产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 31A（Ta），156A（Tc） 3.3W（Ta），83W（Tc） DIRECTFET L6
型号：
AUIRF7737L2TR
仓库库存编号：
AUIRF7737L2TR-ND
别名：SP001519412
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA60R180C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R180C7XKSA1-ND
别名：SP001296216
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS3306TRL
仓库库存编号：
AUIRFS3306TRL-ND
别名：SP001522172
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N10S403ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N10S403ATMA1-ND
别名：SP001102598
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R190C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI60R190C6XKSA1-ND
别名：IPI60R190C6
IPI60R190C6-ND
SP000660618
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP11N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP11N65C3XKSA1-ND
别名：SP000681046
SPP11N65C3
SPP11N65C3-ND
SPP11N65C3BKSA1
SPP11N65C3IN
SPP11N65C3IN-ND
SPP11N65C3X
SPP11N65C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 103A（Tc） 333W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3610STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3610STRLPBFCT-ND
别名：IRF3610STRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 33W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R250CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R250CPXKSA1-ND
别名：IPA60R250CP
IPA60R250CP-ND
SP000310226
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI11N60C3XKSA1-ND
别名：SP000680986
SPI11N60C3
SPI11N60C3BKSA1
SPI11N60C3IN
SPI11N60C3IN-ND
SPI11N60C3X
SPI11N60C3X-ND
SPI11N60C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R310CFDAAKSA1
仓库库存编号：
IPP65R310CFDAAKSA1-ND
别名：SP000879438
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R190CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R190CFDXKSA1-ND
别名：IPI65R190CFD
IPI65R190CFD-ND
SP000905386
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 900V 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI90R500C3XKSA1
仓库库存编号：
IPI90R500C3XKSA1-ND
别名：IPI90R500C3
IPI90R500C3-ND
SP000413728
SP000683084
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 278W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N08S403AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N08S403AKSA1-ND
别名：SP000989106
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 195A（Tc） 300W（Tc） TO-220
型号：
AUIRF2804
仓库库存编号：
AUIRF2804-ND
别名：SP001518528
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL1404STRLPBF
仓库库存编号：
IRL1404STRLPBFCT-ND
别名：IRL1404STRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 240A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB240N04S4R9ATMA1
仓库库存编号：
IPB240N04S4R9ATMA1-ND
别名：SP000952896
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-3
型号：
SPA11N60CFDXKSA1
仓库库存编号：
SPA11N60CFDXKSA1-ND
别名：SP000216317
SPA11N60CFD
SPA11N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R190C6XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R190C6XKSA1-ND
别名：IPA65R190C6
IPA65R190C6-ND
SP000863892
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R190E6XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R190E6XKSA1-ND
别名：IPA65R190E6
IPA65R190E6-ND
SP000863904
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R190C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI65R190C6XKSA1-ND
别名：IPI65R190C6
IPI65R190C6-ND
SP000863900
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 27A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF6218STRL
仓库库存编号：
AUIRF6218STRLTR-ND
别名：AUIRF6218STRLTR
SP001517990
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 300V 19A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 19A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS6535TRL
仓库库存编号：
AUIRFS6535TRLTR-ND
别名：AUIRFS6535TRLTR
SP001521690
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 150A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF1405ZSTRL
仓库库存编号：
AUIRF1405ZSTRL-ND
别名：SP001522112
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 195A（Tc） 294W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL7534PBF
仓库库存编号：
IRFSL7534PBF-ND
别名：SP001568208
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP06N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP06N60C3HKSA1-ND
别名：SP000014697
SPP06N60C3
SPP06N60C3-ND
SPP06N60C3IN
SPP06N60C3IN-ND
SPP06N60C3X
SPP06N60C3XK
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