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产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,

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分立半导体产品 (25202)

晶体管 - FET，MOSFET - 单 (25202)

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1

型号：SPI12N50C3XKSA1
仓库库存编号：SPI12N50C3XKSA1-ND
别名：SP000680996
SPI12N50C3
SPI12N50C3-ND
SPI12N50C3IN
SPI12N50C3IN-ND
SPI12N50C3X
SPI12N50C3XK

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 80A（Tc） 140W（Tc） D2PAK

型号：AUIRFS3607TRL
仓库库存编号：AUIRFS3607TRL-ND
别名：SP001520722

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3-1

型号：IPI120N06S402AKSA1
仓库库存编号：IPI120N06S402AKSA1-ND
别名：IPI120N06S4-02
IPI120N06S4-02-ND
SP000415622

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB

型号：IRF1503PBF
仓库库存编号：IRF1503PBF-ND
别名：*IRF1503PBF
SP001561384

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 59A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK

型号：IRFS59N10DTRLP
仓库库存编号：IRFS59N10DTRLP-ND
别名：SP001557452

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 290W（Tc） D2PAK

型号：IRF2903ZSTRLP
仓库库存编号：IRF2903ZSTRLPCT-ND
别名：IRF2903ZSTRLPCT

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 32W（Tc） TO-220 整包

型号：IPA65R280C6XKSA1
仓库库存编号：IPA65R280C6XKSA1-ND
别名：IPA65R280C6
IPA65R280C6-ND
SP000720898

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 16.6A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4

型号：IPL65R210CFDAUMA1
仓库库存编号：IPL65R210CFDAUMA1-ND
别名：SP000949256

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 160A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-7-3

型号：IPB160N08S403ATMA1
仓库库存编号：IPB160N08S403ATMA1-ND
别名：SP000989092

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 240A（Tc） 231W（Tc） PG-TO263-7-3

型号：IPB240N03S4LR9ATMA1
仓库库存编号：IPB240N03S4LR9ATMA1-ND
别名：SP000932012

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3

型号：IPI65R280C6XKSA1
仓库库存编号：IPI65R280C6XKSA1-ND
别名：IPI65R280C6
IPI65R280C6-ND
SP000785056

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1

型号：IPI80N04S204AKSA2
仓库库存编号：IPI80N04S204AKSA2-ND
别名：SP001063634

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1

型号：IPI80N06S2L05AKSA2
仓库库存编号：IPI80N06S2L05AKSA2-ND
别名：SP001067948

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3

型号：IPB180N03S4LH0ATMA1
仓库库存编号：IPB180N03S4LH0ATMA1TR-ND
别名：IPB180N03S4L-H0
IPB180N03S4L-H0-ND
SP000555050

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 163W（Tc） D2PAK

型号：AUIRFS8405TRL
仓库库存编号：IFAUIRFS8405TRL-ND
别名：IFAUIRFS8405TRL
SP001517524

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 163W（Tc） TO-262

型号：AUIRFSL8405
仓库库存编号：IRAUIRFSL8405-ND
别名：IRAUIRFSL8405
SP001522846

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 163W（Tc） TO-220AB

型号：AUIRFB8405
仓库库存编号：IRAUIRFB8405-ND
别名：IRAUIRFB8405
SP001516720

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3

型号：IPU06N03LAGXK
仓库库存编号：IPU06N03LAGXK-ND
别名：IPU06N03LA
IPU06N03LA G
IPU06N03LAGIN
IPU06N03LAGIN-ND
IPU06N03LAGX
IPU06N03LAGXTIN
IPU06N03LAGXTIN-ND
IPU06N03LAIN
IPU06N03LAIN-ND
SP000017594

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 300W（Tc） TO-262

型号：IRFSL3206PBF
仓库库存编号：IRFSL3206PBF-ND
别名：SP001578476

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 12A（Tc） 75W（Tc） PG-VSON-4

型号：IPL65R195C7AUMA1
仓库库存编号：IPL65R195C7AUMA1-ND
别名：SP001032726

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3

型号：IPB180N04S4LH0ATMA1
仓库库存编号：IPB180N04S4LH0ATMA1-ND
别名：SP000979636

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2

型号：IPB031NE7N3GATMA1
仓库库存编号：IPB031NE7N3GATMA1CT-ND
别名：IPB031NE7N3 GCT
IPB031NE7N3 GCT-ND

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13A（Tc） 72W（Tc） PG-TO263

型号：IPB65R190C7ATMA1
仓库库存编号：IPB65R190C7ATMA1-ND
别名：SP000929424

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4

型号：IPL65R190E6AUMA1
仓库库存编号：IPL65R190E6AUMA1-ND
别名：SP001074938

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 195A（Tc） TO-220-3

型号：IRFB7434GPBF
仓库库存编号：IRFB7434GPBF-ND
别名：SP001577770

产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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