产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P03P4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P03P4L04ATMA1TR-ND
别名：IPB80P03P4L-04
IPB80P03P4L-04-ND
SP000396284
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC027N06LS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC027N06LS5ATMA1-ND
别名：SP001385616
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 87A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 56A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFR3504TRL
仓库库存编号：
AUIRFR3504TRL-ND
别名：SP001520330
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI180N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI180N10N3GXKSA1-ND
别名：IPI180N10N3 G
IPI180N10N3 G-ND
IPI180N10N3G
SP000683076
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R600P6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R600P6XKSA1-ND
别名：IPP60R600P6
IPP60R600P6-ND
SP001017054
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N04S4H2AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N04S4H2AKSA1-ND
别名：IPP100N04S4-H2
IPP100N04S4-H2-ND
SP000711278
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 30A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC019N02KSGAUMA1
仓库库存编号：
BSC019N02KSGAUMA1TR-ND
别名：BSC019N02KS G
BSC019N02KS G-ND
SP000307376
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 17A（Ta） 2.5W（Ta），46W（Tc） DIRECTFET? M2
型号：
AUIRF7734M2TR
仓库库存编号：
AUIRF7734M2TR-ND
别名：SP001522286
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R600E6XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R600E6XKSA1-ND
别名：IPA60R600E6
IPA60R600E6-ND
SP000797298
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R600E6
仓库库存编号：
IPP60R600E6-ND
别名：IPP60R600E6XKSA1
SP000797630
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R600C6XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R600C6XKSA1-ND
别名：IPA60R600C6
IPA60R600C6-ND
SP000660624
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P03P405ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P03P405ATMA1TR-ND
别名：IPB80P03P4-05
IPB80P03P4-05-ND
SP000396282
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N03S4L03AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N03S4L03AKSA1-ND
别名：IPI80N03S4L-03
IPI80N03S4L-03-ND
SP000273285
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 95A
详细描述：通孔 N 沟道 40V 95A（Tc） 42W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI7440GPBF
仓库库存编号：
IRFI7440GPBF-ND
别名：SP001578074
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 14A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
AUIRF7484QTR
仓库库存编号：
AUIRF7484QTRTR-ND
别名：AUIRF7484QTRTR
SP001519200
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 150V 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI530N15N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI530N15N3GXKSA1-ND
别名：IPI530N15N3 G
IPI530N15N3 G-ND
SP000807642
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） I-Pak
型号：
IRLU2905PBF
仓库库存编号：
IRLU2905PBF-ND
别名：*IRLU2905PBF
SP001577178
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S405AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N06S405AKSA1-ND
别名：IPI80N06S4-05
IPI80N06S4-05-ND
SP000415632
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S405AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N06S405AKSA1-ND
别名：IPP80N06S4-05
IPP80N06S4-05-ND
SP000415704
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP16CN10NGHKSA1
仓库库存编号：
IPP16CN10NGHKSA1-ND
别名：SP000096469
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S208ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S208ATMA2-ND
别名：SP001067884
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 90A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD046N08N5ATMA1
仓库库存编号：
IPD046N08N5ATMA1-ND
别名：SP001475652
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N06S2-15
仓库库存编号：
IPD30N06S2-15CT-ND
别名：IPD30N06S2-15CT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 33A（Tc） 144W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS5615TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS5615TRLPBFCT-ND
别名：IRFS5615TRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 250V 9.3A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 250V 9.3A（Tc） 100W（Tc） I-Pak
型号：
AUIRFU4292
仓库库存编号：
AUIRFU4292-ND
别名：SP001519718
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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