产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 27A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 27A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ017NE2LS5IATMA1
仓库库存编号：
BSZ017NE2LS5IATMA1-ND
别名：SP001288152
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N10S3L16ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N10S3L16ATMA1CT-ND
别名：IPD50N10S3L-16CT
IPD50N10S3L-16CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 75W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80P04P4L08AKSA1
仓库库存编号：
IPP80P04P4L08AKSA1-ND
别名：SP000840212
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S4L04ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S4L-04
IPB80N04S4L-04-ND
SP000646180
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 72A（Tc） 75W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB70P04P409ATMA1
仓库库存编号：
IPB70P04P409ATMA1-ND
别名：SP000735964
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S407AKSA2
仓库库存编号：
IPP80N06S407AKSA2-ND
别名：SP001028666
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 3.6A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB812PBF
仓库库存编号：
IRFB812PBF-ND
别名：SP001563948
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 13A（Ta），50A（Tc） 2.8W（Ta）, 42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB104N08NP3GXUSA1
仓库库存编号：
BSB104N08NP3GXUSA1-ND
别名：SP001164330
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRL520NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRL520NSTRLPBF-ND
别名：SP001567056
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） TO-252
型号：
IPD60R600E6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R600E6ATMA1-ND
别名：SP001117094
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0501NSIATMA1
仓库库存编号：
BSZ0501NSIATMA1-ND
别名：SP001281638
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD90N06S4L05ATMA2
仓库库存编号：
IPD90N06S4L05ATMA2-ND
别名：SP001028748
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.9A（Ta），24A（Tc） 2.5W（Ta），41W（Tc） DIRECTFET? SC
型号：
AUIRF7647S2TR
仓库库存编号：
AUIRF7647S2TR-ND
别名：SP001520570
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7834TRPBF
仓库库存编号：
IRF7834PBFTR-ND
别名：IRF7834PBFTR
IRF7834TRPBF-ND
IRF7834TRPBFTR-ND
SP001563774
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P04P407ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P04P407ATMA1-ND
别名：SP000842038
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P04P4L06ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P04P4L06ATMA1-ND
别名：SP000842046
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 100W（Tc） PG-TDSON-8-23
型号：
IPC80N04S403ATMA1
仓库库存编号：
IPC80N04S403ATMA1-ND
别名：SP001138828
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R600E6BTMA1
仓库库存编号：
IPD65R600E6BTMA1CT-ND
别名：IPD65R600E6BTMA1CT
IPD65R600E6CT
IPD65R600E6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R600E6ATMA1
仓库库存编号：
IPD65R600E6ATMA1-ND
别名：SP001117096
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI45N06S409AKSA2
仓库库存编号：
IPI45N06S409AKSA2-ND
别名：SP001028656
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80P04P407AKSA1
仓库库存编号：
IPP80P04P407AKSA1-ND
别名：SP000842044
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80P04P4L06AKSA1
仓库库存编号：
IPP80P04P4L06AKSA1-ND
别名：SP000842052
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAW60R600CEXKSA1
仓库库存编号：
IPAW60R600CEXKSA1-ND
别名：SP001391618
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P03P4L07ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P03P4L07ATMA1TR-ND
别名：IPB80P03P4L-07
IPB80P03P4L-07-ND
SP000396288
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI45N06S4L08AKSA1
仓库库存编号：
IPI45N06S4L08AKSA1-ND
别名：IPI45N06S4L-08
IPI45N06S4L-08-ND
SP000374333
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