产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta), 43W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0502NSIATMA1
仓库库存编号:
BSZ0502NSIATMA1-ND
别名:SP001288154
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD031N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD031N03LGBTMA1-ND
别名:SP000236957
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD127N06LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD127N06LGBTMA1CT-ND
别名:IPD127N06LG
IPD127N06LGINCT
IPD127N06LGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 40A(Tc) 63W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ084N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ084N08NS5ATMA1-ND
别名:SP001227056
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS119L6433HTMA1
仓库库存编号:
BSS119L6433HTMA1CT-ND
别名:BSS119 L6433CT
BSS119 L6433CT-ND
BSS119L6433
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 107W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD90N06S405ATMA2
仓库库存编号:
IPD90N06S405ATMA2-ND
别名:SP001028730
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 30A(Tc) 120W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRLU3915PBF
仓库库存编号:
IRLU3915PBF-ND
别名:*IRLU3915PBF
SP001578942
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S4L07ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S4L07ATMA2-ND
别名:SP001028674
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRLR014NTRL
仓库库存编号:
AUIRLR014NTRL-ND
别名:SP001516046
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD90N06S4L06ATMA2
仓库库存编号:
IPD90N06S4L06ATMA2-ND
别名:SP001028682
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 20A(Tc) I-Pak
型号:
IRLU9343PBF
仓库库存编号:
IRLU9343PBF-ND
别名:*IRLU9343PBF
SP001568868
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR18N15DTRPBF
仓库库存编号:
IRFR18N15DTRPBFCT-ND
别名:IRFR18N15DTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 4.2A(Tc) 34.7W(Tc) Thin-PAK(5x6)
型号:
IPL65R1K0C6SATMA1
仓库库存编号:
IPL65R1K0C6SATMA1-ND
别名:SP001163084
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 85A(Tc) 88W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD85P04P407ATMA1
仓库库存编号:
IPD85P04P407ATMA1-ND
别名:SP000842066
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 85A(Tc) 88W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD85P04P4L06ATMA1
仓库库存编号:
IPD85P04P4L06ATMA1-ND
别名:SP000842056
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 80A(Tc) 88W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80P03P4L07ATMA1
仓库库存编号:
IPD80P03P4L07ATMA1TR-ND
别名:IPD80P03P4L-07
IPD80P03P4L-07-ND
IPD80P03P4L-07INTR
IPD80P03P4L-07INTR-ND
SP000396296
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5.7A(Tc) 48W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R750E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R750E6ATMA1-ND
别名:SP001117728
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 45A(Tc) 58W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB45P03P4L11ATMA1
仓库库存编号:
IPB45P03P4L11ATMA1-ND
别名:SP000396276
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 120A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3717TRRPBF
仓库库存编号:
IRLR3717TRRPBF-ND
别名:SP001569116
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 120A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3717TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3717TRPBF-ND
别名:SP001553200
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N06S2L13ATMA2
仓库库存编号:
IPD50N06S2L13ATMA2-ND
别名:SP001063626
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3103STRLPBF-ND
别名:SP001552534
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRLR024NTRL
仓库库存编号:
AUIRLR024NTRL-ND
别名:SP001517694
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-224
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 3.1A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRLL024NTR
仓库库存编号:
AUIRLL024NTR-ND
别名:SP001518736
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 29A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC018NE2LSATMA1
仓库库存编号:
BSC018NE2LSATMA1CT-ND
别名:BSC018NE2LSCT
BSC018NE2LSCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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