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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K4C6AKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K4C6AKMA1-ND
  别名：SP001292874
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.6A（Tc） 78W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR812TRPBF
  仓库库存编号：IRFR812TRPBFCT-ND
  别名：IRFR812TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.4A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO200P03SHXUMA1
  仓库库存编号：BSO200P03SHXUMA1TR-ND
  别名：BSO200P03S H
  BSO200P03S H-ND
  SP000613850
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO040N03MSGXUMA1
  仓库库存编号：BSO040N03MSGXUMA1TR-ND
  别名：BSO040N03MS G
  BSO040N03MS G-ND
  SP000446070
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 10.5A（Tc） 86W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPSA70R600CEAKMA1
  仓库库存编号：IPSA70R600CEAKMA1-ND
  别名：SP001605364
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 28W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R1K4C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R1K4C6ATMA1-ND
  别名：SP001107078
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 300MA SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 300mA（Ta） 700mW（Tc） SOT-323-3
  
  型号：BSH121,135
  仓库库存编号：568-11040-1-ND
  别名：568-11040-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 300MA SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 300mA（Ta） 700mW（Tc） SOT-323-3
  
  型号：BSH121,135
  仓库库存编号：568-11040-6-ND
  别名：568-11040-6
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD30N06S223ATMA2
  仓库库存编号：IPD30N06S223ATMA2-ND
  别名：SP001061722
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD50N06S4L08ATMA2
  仓库库存编号：IPD50N06S4L08ATMA2-ND
  别名：SP001028664
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.1A（Tc） 74W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R460CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R460CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R460CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 22A（Ta），69A（Tc） 2.2W（Ta），28W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF035NE2LQXUMA1
  仓库库存编号：BSF035NE2LQXUMA1-ND
  别名：SP001034234
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12A（Ta） 1.6W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO080P03NS3EGXUMA1
  仓库库存编号：BSO080P03NS3EGXUMA1CT-ND
  别名：BSO080P03NS3E GCT
  BSO080P03NS3E GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 60V 47A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 47A（Tc） 36W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC094N06LS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC094N06LS5ATMA1-ND
  别名：SP001458086
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12A（Ta） 1.6W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO080P03NS3GXUMA1
  仓库库存编号：BSO080P03NS3GXUMA1CT-ND
  别名：BSO080P03NS3 GCT
  BSO080P03NS3 GCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD050N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD050N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD050N03LGINCT
  IPD050N03LGINCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD050N03LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD050N03LGBTMA1-ND
  别名：SP000254716
  
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  MOSFET N-CH 25V 18A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ033NE2LS5ATMA1
  仓库库存编号：BSZ033NE2LS5ATMA1-ND
  别名：SP001288158
  
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  MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 84A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3802TRPBF
  仓库库存编号：IRLR3802TRPBFCT-ND
  别名：IRLR3802TRPBFCT
  
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  MOSFET N-CH 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3A（Tc） 26.6W（Tc） Thin-PAK（5x6）
  
  型号：IPL60R1K5C6SATMA1
  仓库库存编号：IPL60R1K5C6SATMA1-ND
  别名：SP001163010
  
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  MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD040N03LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD040N03LGBTMA1-ND
  别名：SP000254715
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 650V TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 15.1A (Tc） 118W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R400CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD65R400CEAUMA1-ND
  别名：SP001466800
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 2.8A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R1K4CFDATMA1
  仓库库存编号：IPD65R1K4CFDATMA1-ND
  别名：SP001117732
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5A（Tc） 20W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R1K5CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R1K5CEXKSA1-ND
  别名：SP001429420
  
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  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 50A（Tc） 72W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD50N08S413ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N08S413ATMA1-ND
  别名：SP000988948
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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