产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 3.1A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R1K4CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD50R1K4CEAUMA1-ND
别名:SP001396808
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 3.1A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU50R1K4CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU50R1K4CEAKMA1-ND
别名:SP001396810
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6.3A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL303SPEH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL303SPEH6327XTSA1-ND
别名:SP000953144
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 4A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R2K0CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R2K0CEAUMA1-ND
别名:SP001466914
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC022N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC022N03L3X1SA1-ND
别名:SP000904026
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 34V 13A(Ta) 2.5W(Ta) PG-TDSON-8
型号:
BSC0996NSATMA1
仓库库存编号:
BSC0996NSATMA1-ND
别名:SP001659236
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),63A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0906NSATMA1
仓库库存编号:
BSC0906NSATMA1CT-ND
别名:BSC0906NSCT
BSC0906NSCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 2.6W(Ta),20W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM8342TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8342TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8342TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 53W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU50R950CEAKMA2
仓库库存编号:
IPU50R950CEAKMA2-ND
别名:SP001396806
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.9A(Tj) 1.8W(Ta) SOT-223
型号:
BSP320SH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSP320SH6433XTMA1-ND
别名:SP001058772
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 5.2A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K5CEAUMA1-ND
别名:SP001422862
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 4A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSA70R2K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPSA70R2K0CEAKMA1-ND
别名:SP001605400
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD090N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD090N03LGBTMA1-ND
别名:SP000236950
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD40N03S4L08ATMA1
仓库库存编号:
IPD40N03S4L08ATMA1-ND
别名:SP000475916
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9A(Ta),39.6A(Tc) 2.1W(Ta),40W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ180P03NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSZ180P03NS3GATMA1TR-ND
别名:BSZ180P03NS3 G
BSZ180P03NS3 G-ND
SP000709744
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC020N10L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC020N10L3X1SA1-ND
别名:SP001006962
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.1A(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R1K5CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU60R1K5CEAKMA1-ND
别名:SP001369534
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.1A(Tc) 49W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU60R1K5CEAKMA2
仓库库存编号:
IPU60R1K5CEAKMA2-ND
别名:SP001396898
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-223
型号:
BSS139H6906XTSA1
仓库库存编号:
BSS139H6906XTSA1-ND
别名:SP000702612
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),52W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ120P03NS3EGATMA1
仓库库存编号:
BSZ120P03NS3EGATMA1TR-ND
别名:BSZ120P03NS3E G
BSZ120P03NS3E G-ND
SP000709730
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9392TRPBF
仓库库存编号:
IRF9392TRPBF-ND
别名:SP001554514
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9410TRPBF
仓库库存编号:
IRF9410PBFTR-ND
别名:IRF9410PBFTR
IRF9410TRPBF-ND
IRF9410TRPBFTR-ND
SP001551686
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC028N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC028N03L3X1SA1-ND
别名:SP000555720
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.7W(Ta),28W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM8334TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8334TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8334TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.3A(Tc) PG-TO251
型号:
IPU60R1K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU60R1K0CEAKMA1-ND
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