产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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分立半导体产品
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Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
详细描述:通孔 N 沟道 55V 50W(Tj)
型号:
HTNFET-TC
仓库库存编号:
HTNFET-TC-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
SN7002NH6433XTMA1
仓库库存编号:
SN7002NH6433XTMA1-ND
别名:SP000924072
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 280mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS138WH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSS138WH6433XTMA1-ND
别名:SP000917558
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS7728NH6327XTSA2
仓库库存编号:
BSS7728NH6327XTSA2-ND
别名:SP000929184
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.4A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS816NWH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS816NWH6327XTSA1-ND
别名:SP000917562
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.4A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT363-6
型号:
BSD316SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSD316SNH6327XTSA1-ND
别名:BSD316SN H6327
BSD316SN H6327-ND
SP000917668
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.4A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT363-6
型号:
BSD816SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSD816SNH6327XTSA1-ND
别名:SP000917670
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 190mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS119NH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSS119NH6433XTMA1-ND
别名:SP000996564
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT363-6
型号:
BSD314SPEH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSD314SPEH6327XTSA1-ND
别名:SP000917658
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC014N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC014N03L3X1SA1-ND
别名:SP000454346
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 2.6A(Tc) 29W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R3K4CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R3K4CEAUMA1-ND
别名:SP001422856
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 2.5A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 2.5A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL716SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL716SNH6327XTSA1-ND
别名:SP000942924
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 2.3A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP716NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP716NH6327XTSA1-ND
别名:SP001087514
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 90mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS225H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS225H6327XTSA1-ND
别名:SP001195032
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 260mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89-4-2
型号:
BSS87H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS87H6327XTSA1-ND
别名:SP001195034
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 190mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS192PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS192PH6327XTSA1-ND
别名:SP001195030
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 1.7A(Tc) 26W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU50R3K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU50R3K0CEAKMA1-ND
别名:SP001396836
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.3A TSOP-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5.3A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL305SPEH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL305SPEH6327XTSA1-ND
别名:SP000953150
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.4A(Tc) 33W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R2K0CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD50R2K0CEAUMA1-ND
别名:SP001396820
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 7.5A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL202SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL202SNH6327XTSA1-ND
别名:SP001100644
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.1A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.1A(Ta) 2W(Ta) P-TSOP6-6
型号:
BSL302SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL302SNH6327XTSA1-ND
别名:SP001100662
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 7.5A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL802SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL802SNH6327XTSA1-ND
别名:SP001101012
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.4A(Tc) 33W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU50R2K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU50R2K0CEAKMA1-ND
别名:SP001396816
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 750V 4A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R2K1CEATMA1
仓库库存编号:
IPN70R2K1CEATMA1-ND
别名:SP001664860
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.3A(Tc) 22W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R2K1CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R2K1CEBTMA1CT-ND
别名:IPD60R2K1CEBTMA1CT
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