产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 317A（Tc） 1136W（Tc） SP6
型号：
APTM20SKM05G
仓库库存编号：
APTM20SKM05G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 71A（Tc） 300W（Tc） SOT-227
型号：
APT50MC120JCU2
仓库库存编号：
APT50MC120JCU2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 495A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM10DAM02G
仓库库存编号：
APTM10DAM02G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 495A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM10SKM02G
仓库库存编号：
APTM10SKM02G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 180A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 180A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM50DAM17G
仓库库存编号：
APTM50DAM17G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 180A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 180A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM50SKM17G
仓库库存编号：
APTM50SKM17G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 372A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 372A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM20DAM04G
仓库库存编号：
APTM20DAM04G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 78A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM100DAM90G
仓库库存编号：
APTM100DAM90G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 78A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM100SKM90G
仓库库存编号：
APTM100SKM90G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 570A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 570A（Tc） 1660W（Tc） SP6
型号：
APTM10UM02FAG
仓库库存编号：
APTM10UM02FAG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 417A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 417A（Tc） 1560W（Tc） SP6
型号：
APTM20UM04SAG
仓库库存编号：
APTM20UM04SAG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 590A（Tc） 2200W（Tc） Y3-DCB
型号：
VMO550-01F
仓库库存编号：
VMO550-01F-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 145A（Tc） 3250W（Tc） SP6
型号：
APTM100UM65DAG
仓库库存编号：
APTM100UM65DAG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 335A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 335A（Tc） 3290W（Tc） SP6
型号：
APTM50UM13SAG
仓库库存编号：
APTM50UM13SAG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 116A（Tc） 3290W（Tc） SP6
型号：
APTM120U10SAG
仓库库存编号：
APTM120U10SAG-ND
别名：APTM120U10SAGMI
APTM120U10SAGMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 690A MODULE
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 690A（Tc） 2500W（Tc） Y3-DCB
型号：
VMO650-01F
仓库库存编号：
VMO650-01F-ND
别名：Q1434129
VM0650-01F
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 129A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 129A（Tc） 2272W（Tc） SP6
型号：
APTM100UM60FAG
仓库库存编号：
APTM100UM60FAG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 171A（Tc） 5000W（Tc） SP6
型号：
APTM120UM70DAG
仓库库存编号：
APTM120UM70DAG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 497A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 497A（Tc） 5000W（Tc） SP6
型号：
APTM50UM09FAG
仓库库存编号：
APTM50UM09FAG-ND
别名：APTM50UM09FAGMI
APTM50UM09FAGMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 116A（Tc） 3290W（Tc） SP6
型号：
APTM120U10SCAVG
仓库库存编号：
APTM120U10SCAVG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 215A（Tc） 5000W（Tc） SP6
型号：
APTM100UM45FAG
仓库库存编号：
APTM100UM45FAG-ND
别名：APTM100UM45FAGMI
APTM100UM45FAGMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 145A（Tc） 3250W（Tc） SP6
型号：
APTM100UM65SCAVG
仓库库存编号：
APTM100UM65SCAVG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 171A（Tc） 5000W（Tc） SP6
型号：
APTM120UM70FAG
仓库库存编号：
APTM120UM70FAG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 55V 50W（Tj） 8-CDIP-EP
型号：
HTNFET-D
仓库库存编号：
342-1078-ND
别名：342-1078
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
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Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 55V 50W（Tj）
型号：
HTNFET-DC
仓库库存编号：
HTNFET-DC-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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