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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 50A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN50N50
  仓库库存编号：IXFN50N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 550A DE475
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 550A（Tc） 600W（Tc） DE475
  
  型号：IXTZ550N055T2
  仓库库存编号：IXTZ550N055T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 67A（Tc） 694W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT50M65B2LLG
  仓库库存编号：APT50M65B2LLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 8A（Tc） 700W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX8N150L
  仓库库存编号：IXTX8N150L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1100V 16A（Tc） 320W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR30N110P
  仓库库存编号：IXFR30N110P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 72A（Tc） 890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB72N55Q2
  仓库库存编号：IXFB72N55Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 42A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT39M60J
  仓库库存编号：APT39M60J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 100A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB100N50Q3
  仓库库存编号：IXFB100N50Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 82A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB82N60Q3
  仓库库存编号：IXFB82N60Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 62A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB62N80Q3
  仓库库存编号：IXFB62N80Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 90A（Tc） 560W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN90N30
  仓库库存编号：IXFN90N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 300mW（Ta） 3-SMD
  
  型号：HCT7000MTX
  仓库库存编号：HCT7000MTX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 80A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT80N085
  仓库库存编号：IXFT80N085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660
  仓库库存编号：2N6660-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 54A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT6010B2LLG
  仓库库存编号：APT6010B2LLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 51A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 51A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT50M75JLLU2
  仓库库存编号：APT50M75JLLU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 250V 120A SOT-227B
  
  型号：IXFN120N25
  仓库库存编号：IXFN120N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 390W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100DA33T1G
  仓库库存编号：APTM100DA33T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 390W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100SK33T1G
  仓库库存编号：APTM100SK33T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 55A（Tc） 625W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL80N50Q2
  仓库库存编号：IXFL80N50Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 25A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN25N90
  仓库库存编号：IXFN25N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 9A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR10N100Q
  仓库库存编号：IXFR10N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 500V 60A TO-240AA
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 60A（Tc） 590W（Tc） TO-240AA
  
  型号：VMO60-05F
  仓库库存编号：VMO60-05F-ND
  
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  MOSFET N-CH 75V 465A DE-475
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 465A（Tc） 600W（Tc） DE475
  
  型号：IXFZ520N075T2
  仓库库存编号：IXFZ520N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 52A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN64N50PD2
  仓库库存编号：IXFN64N50PD2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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