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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH20N60Q
  仓库库存编号：IXFH20N60Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH23N60Q
  仓库库存编号：IXFH23N60Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 26A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR26N50
  仓库库存编号：IXFR26N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 170A（Tc） 1150W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX170N20T
  仓库库存编号：IXFX170N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 250V 140A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 140A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX140N25T
  仓库库存编号：IXFX140N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 3A（Tc） 125W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTJ6N150
  仓库库存编号：IXTJ6N150-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 16A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 16A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT16N90Q
  仓库库存编号：IXFT16N90Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 32A（Tc） 830W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX32N80P
  仓库库存编号：IXFX32N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 300V 40A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT30M85BVRG
  仓库库存编号：APT30M85BVRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 40A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 40A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT40N30Q
  仓库库存编号：IXFT40N30Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 500A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 500A（Tc） 1000W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH500N04T2
  仓库库存编号：IXTH500N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 200V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 80A（Tc） 520W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH80N20L
  仓库库存编号：IXTH80N20L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 120A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK120N30T
  仓库库存编号：IXFK120N30T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 208W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR44N50P
  仓库库存编号：IXFR44N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH30N50L
  仓库库存编号：IXTH30N50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 67A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR70N15
  仓库库存编号：IXFR70N15-ND
  
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  MOSFET N-CH 800V 32A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 32A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK32N80P
  仓库库存编号：IXFK32N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 25A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT24M80S
  仓库库存编号：APT24M80S-ND
  
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  MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH13N80
  仓库库存编号：IXTH13N80-ND
  
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  MOSFET N-CH 1500V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 12A（Tc） 890W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH12N150
  仓库库存编号：IXTH12N150-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 830W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX200N10P
  仓库库存编号：IXFX200N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1500V 12A（Tc） 890W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT12N150
  仓库库存编号：IXTT12N150-ND
  
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  MOSFET N-CH 150V 88A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 88A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT88N15
  仓库库存编号：IXTT88N15-ND
  
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  MOSFET N-CH 55V 440A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 440A（Tc） 1000W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT440N055T2
  仓库库存编号：IXTT440N055T2-ND
  
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  MOSFET N-CH 40V 500A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 500A（Tc） 1000W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT500N04T2
  仓库库存编号：IXTT500N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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